This advantage increases as the switching frequency is increased, with estimates of a 2.2% improvement for a 1200 V SiC MOSFET based inverter over IGBTs for a 25kW application at a switching frequency ...

图2：图腾柱PFC拓扑 为了达到97.5%的能效，图腾柱PFC需要使用碳化硅(SiC)等“宽禁带”半导体的MOSFET。如今，所有PFC级均采用SiC MOSFET 作为快速开关桥 ...

Littelfuse公司30日宣布推出TPSMB非对称TVS二极管系列，这是首款上市的非对称瞬态电压抑制（TVS）二极管，专门用于保护汽车应用中的碳化硅（SiC）MOSFET栅极驱动器。这一创新产品满足下一代电动汽车(EV)系统对可靠过压保护日益增长的需求，提供一种结构紧凑的 ...

成功研发出高性能且低成本的1200V SiC MOSFET。基于该研究成果的论文于12月10日以口头报告形式发表在第70届国际电子器件大会上（IEDM 2024）。