4月21日，清纯半导体官微宣布，推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技术平台，该平台首款主驱芯片（型号：S3M008120BK）的常温导通电阻低至8mΩ，比导通电阻系数Rsp达到2.1 mΩ·cm²，处于国际领先水平。

图腾柱 PFC 级基于 MOSFET，通过移除体积大且损耗高的桥式整流器，提高了交流电源的能效和功率密度。 图 2：图腾柱 PFC 级 然而，为了实现超大规模数据中心公司要求的 97.5% 或更高的能效，图腾柱 PFC 需使用基于“宽禁带”半导体材料（如碳化硅 (SiC)）的 MOSFET。

如今，所有 PFC 级均采用 SiC MOSFET 作为快速开关桥臂，并使用硅基超级结 MOSFET 作为相位或慢速桥臂。 与硅 MOSFET 相比，SiC MOSFET 性能更优、能效也更 ...

Começa a ficar ao rubro a guerra entre SIC e TVI. Na semana passada, a SIC foi o canal mais visto com 14,6% de share, contra 14,3% da TVI. A SIC teve também o programa mais visto em directo, o ‘Jornal ...

图腾柱 PFC 级基于 MOSFET，通过移除体积大且损耗高的桥式整流器，提高了交流电源的能效和功率密度。JBjednc 然而，为了实现超大规模数据中心公司要求的 97.5% 或更高的能效，图腾柱 PFC 需使用基于“宽禁带”半导体材料（如碳化硅 (SiC)）的 MOSFET。如今 ...

图腾柱 PFC 级基于 MOSFET，通过移除体积大且损耗高的桥式整流器，提高了交流电源的能效和功率密度。 图 2：图腾柱 PFC 级 然而，为了实现超大规模数据中心公司要求的 97.5% 或更高的能效，图腾柱 PFC 需使用基于“宽禁带”半导体材料(如碳化硅 (SiC))的 MOSFET。

A contagem decrescente para as eleições legislativas de 18 de maio continua e, esta quarta-feira, com mais um debate, que terá transmissão em direto na SIC Notícias. O confronto de ideias que vai opor ...

本文详细介绍了SiC MOSFET的动态特性。包括阈值电压特性、开通和关断特性以及体二极管的反向恢复特性。此外，还应注意测试波形的准确性。

车载OBC集成于800V高压平台，SiC MOSFET需长期承受高频开关和雪崩能量冲击，栅氧电场强度远超充电桩静态工况。 国际头部厂商器件在22V/175°C HTGB测试中可稳定3000小时，而部分国产碳化硅MOSFET在19V时短时间即失效。 栅氧工艺和电性能指标的矛盾：部分国产SiC ...

Ler, ver, ouvir e descobrir para compreender, analisar e criticar é o desafio do SIC Explica.me. O Lumi é um amigo que acompanha crianças e jovens dos 6 aos 15 anos numa viagem de aprendizagem. A ...