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21ic8月
SiC 和 GaN 器件如何老化？
[导读]碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 宽带隙 (WBG) 技术因其在许多高功率领域优于硅 (Si) 的性能而闻名，包括其高效率和高开关频率。然而，与单晶硅不同，SiC 和 GaN 具有独特的设计和应用问题，工程师在将这些技术用于设计时需要解决这些问题。 SiC 和 GaN器件的 ...
腾讯网1 年
RF GaN，何去何从？
伴随着碳化硅基氮化镓 (GaN-on-SiC) 技术日趋成熟，GaN它正在成为各种应用的标准，相对于 Si LDMOS 和 GaAs 等竞争技术，RF GaN稳步获得市场份额。
36氪2 年
深挖GaN潜力，中国企业别掉队
SiC独特的电子和热性能使其非常适合高功率和高频半导体器件,其性能远超过Si或GaAs。GaN-on-SiC技术的关键优势包括降低开关损耗、更高的功率密度 ...
国际电子商情2 年
砷化镓，何时反转？
如今，SiC与GaN成为化合物半导体的两大当红炸子鸡 ... nAhesmc GaAs射频PA所处生态位nAhesmc 此外，GaAs在基站上领域也并非处于一家独大的局面。射频PA的主要材料以LDMOS（Si）、GaAs（GaAs）和氮化镓（GaN）这三大材料为主。这三大材料彼此优劣势明显，GaAs器件的缺点 ...
电子工程专辑2 年
【半导光电】宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）
GaAs、InP 等材料适用于制作高速、高频、大功率以及发光电子 ... 没错，这是两者材料特性决定的，在很多性能上 SiC 和 GaN 具有十分相似的表现。 * Si、GaN、SiC 应用区间对比 为什么我们的充电器用的都是 GaN 而不是 SiC 呢？ 两者有一个很大的区别是热导率。
国际电子商情3 年
SiC、GaN未来五年内的市场应用趋势如何？
在终端需求大幅增加的情况下，IGBT、MOSFET、SiC、GaN器件的市场机遇有多少？在本期《国际电子商情》中，分析师与功率半导体行业从业者共同探讨了全球功率器件的供应情况和市场趋势。 据IHS Markit预测，2021年全球功率半导体市场规模将达441亿美元，年化增速为 ...
电子工程专辑3 年
氮化镓（GaN）射频器件为新一代雷达“猛虎添翼”
在这些领域早期应用的硅和砷化镓半导体，是无法与能够提供的更宽带宽、更高功率密度和更高效率的SiC基GaN器件所相提并论。 GaN 属于第三代半导体材料（又称为宽禁带半导体材料）。GaN 的禁带宽度、电子饱和迁移速度、击穿场强和工作温度远远大于Si 和GaAs ...
凤凰网3 年
器件科普 | 氮化镓（GaN）射频器件为新一代雷达“猛虎添翼”
在这些领域早期应用的硅和砷化镓半导体，是无法与能够提供的更宽带宽、更高功率密度和更高效率的SiC基GaN器件所相提并论。GaN 属于第三代半导体材料（又称为宽禁带半导体材料）。GaN 的禁带宽度、电子饱和迁移速度、击穿场强和工作温度远远大于Si 和GaAs ...
第一财经4 年
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17:21【上海临港新片区：推进6英寸、8英寸GaAs、GaN和SiC工艺线建设】上海临港新片区发布集成电路产业专项规划（2021-2025）。规划提出，积极对接 ...
腾讯网4 年
化合物半导体材料行业专题报告：GaAs，GaN，SiC
GaAs 是较为重要、技术成熟度最高的化合物半导体材料之一。相比 Si，GaAs 材料具备禁带宽度 大、电子迁移率高的特性，能显著降低射频尺寸、降低功耗，也具备成本优势。相比于 GaN 和 SiC 等新兴的二元系化合物半导体材料，GaAs 技术成熟，具备较为明显的成本优势。
腾讯网4 年
化合物半导体材料行业专题报告：GaAs，GaN，SiC
相比 Si，GaAs 材料具备禁带宽度 大、电子迁移率高的特性，能显著降低射频尺寸、降低功耗，也具备成本优势。相比于 GaN 和 SiC 等新兴的二元系化合 ...
新浪网4 年
大成研究 | 第三代半导体材料应用——GaN、SiC器件
日前，有消息透露国家计划把大力支持发展第三代半导体产业写进目前正在制定的“十四五”规划中。 材料、结构即决定物理 ...