为解决4H-SiC ... GaN高迁移率的混合器件提供了关键技术路径。 关键技术包括：热壁化学气相沉积（CVD）生长4H-SiC外延层，原子力显微镜（AFM）表征表面形貌，霍尔效应测量载流子迁移率，以及X射线衍射（XRD）确认衬底偏角方向。研究使用0.5°偏角[11-20]方向的4H-SiC ...

为解决中国主导全球镓(Ga)供应链(2023年占98%产量)导致的进口国供应风险问题，劳伦斯伯克利国家实验室团队通过物质流分析(MFA)评估美国镓生命周期流动，结合技术经济评估(TEA)建模两种本土生产路径（拜耳法废液和锌浸出渣(ZLR)提炼）。研究发现：到2035年 ...

可以说，英飞凌在半导体材料和工艺（GaN、SiC）、系统设计（提升功率密度、热管理）、终端应用（电动汽车、AI服务器）等方面形成了闭环能力，本土化的核心是将这些全球领先技术通过本地平台、人才与生态快速转换为可交付的产品与方案。 在本土制造方面 ...

分布式 DC 电源则要求电感器具有小体积、高功率密度和低 DCR(直流电阻)，以减少整体损耗。 随着数据中心 PSU 越来越多地采用 GaN、SiC 等宽禁带半导体器件，这就要求电感能够适配这些高频器件，同时降低磁芯损耗，进一步提高系统的转换效率。 电感选型推荐 ...