电子工程专辑6 天
中国在基于新型SiC复合衬底的低成本MOSFET上取得重要进展
通过表面活化键合技术和离子注入剥离技术，将高质量SiC薄层键合转移到低质量单晶SiC衬底上，实现了低质量单晶SiC衬底有效 ...