金融界2025年1月31日消息，国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“灵敏放大器电路”的专利，公开号CN 119380785 A，申请日期为2024年9月。

自2013年成立以来，华虹宏力以其卓越的工艺和技术不断发展壮大。目前，该公司在知识产权领域拥有超过5000项专利信息，其中包括多个关于存储器和放大器技术的专利，显示了其在半导体行业的强大研发能力。通过不断的技术创新，华虹宏力不仅提升了自身的竞争优势， ...

随着英特尔迈向又一次重大变革——从 FinFET 转向 RibbonFET（更通俗的说法是纳米片晶体管）—— IEEE Spectrum向 Ghani 询问迄今为止最危险的变革是什么。在这个设备整个架构都发生改变的时代，他的回答有些令人惊讶，那就是早在 2008 年就引入的一项变革，从外观上看，晶体管与以前非常相似。

如果您希望可以时常见面，欢迎标星收藏哦 ~ 对电子元件三维 ( 3D ) 集成的需求正在稳步增长。尽管存在巨大的加工挑战，硅通孔 ( TSV ) 技术仍是集成 3D 格式单晶器件元件的唯一可行方法。尽管单片 3D ( M3D：monolithic ...

前言近期充电头网又拿到了华为一款65W USB-C快充充电器，与此前拆解的华为同功率快充产品相比，这款的特殊之处在于其是专门在印度使用的电源，配备标准印规插脚，支持100-240V宽电压输入以及65W输出。下面充电头网就带来华为这款65W ...

NCP3063 1.5A 升压开关稳压器具有外部 NMOS 晶体管的典型升压应用原理图。 NCP3063 系列是流行的 MC34063A 和 MC33063A 单片 DC-DC 转换器的更高频率升级版。这些器件由内部温度补偿基准、比较器、具有有源电流限制电路的受控占空比振荡器、驱动器和高电流输出开关组成 ...

电荷泵是一种关键的电力管理组件，广泛应用于各类电子设备中，包括手机、平板电脑、便携式设备等。芯聆半导体的新专利中，输入功率管采用了NMOS管设计，这一选择有效地降低了导通损耗，提升了电荷泵的能效。具体而言，专利的驱动电路设计允许高端源跟随NMOS管的 ...

专利摘要显示，本申请涉及电机技术领域，具体提供一种直流换向控制器，旨在解决如何有效避免直流换向控制器NMOS和PMOS管同时导通的风险的问题。为此目的，本申请的直流换向控制器包括两个结构相同的驱动电路，每个驱动电路中均包括第一控制模块、第二 ...

下图为Planar FET、Fin FET、GAA FET三种晶体管微观结构比较。 下图是将NMOS晶体管和PMOS晶体管并列制造的三种类型的晶体管的结构比较，集成电路的最 ...