在新能源和智能科技日益兴起的今日，这项专利的推出恰逢其时，可能将为未来的电源解决方案带来颠覆性效果。尽管目前我们只能窥见这项技术的前景，但毋庸置疑的是，思远半导体正在为我们描绘一幅未来殷实的科技蓝图。

2025年3月19日，金融界报道，深圳市思远半导体有限公司再下一城，成功获得了“NMOS开关管的开关电路、控制方法及芯片”的专利，授权公告号为CN117134761B，申请时间为2023年1月。作为一家成立于2011年、坐落于中国科技之都深圳的企业，思远半导体一直以来专注于计算机、通信与电子设备的制造，伴随着数字化和智能化浪潮的蓬勃发展，这项创新专利也标志着其在半导体领域的进一步深耕。

为什么使用nmos管就需要增加自举电路？ 这和NMOS的导通条件有关系：栅极电压比源极电压高即导通，所以上管必须增加自举电路才能保证完全导通 ...

图1. 华为“Max 80W”超级无线充电器 捷捷微电有6颗JMSL06系列60V耐压、低开启NMOS管应用于此超级快充立式无线充电器中。其中，2颗JMSL0606AG（NMOS ...