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1 天
新洁能确认SiC MOSFET采用平面栅结构
1月24日,新洁能(605111.SH)在投资者互动平台上确认,其生产的SiC MOSFET采用平面栅结构。这一信息是在公司回应投资者关于SiC MOSFET制造技术类型的提问时发布的。市场对此反应积极,平面栅结构的SiC ...
每日经济新闻 on MSN
1 天
新洁能:公司的SiC MOSFET是平面栅结构
每经AI快讯,有投资者在投资者互动平台提问:请问公司SiC MOSFET制造技术是平面型还是沟槽型? 新洁能(605111.SH)1月24日在投资者互动平台表示,投资者您好!公司的SiC MOSFET是平面栅结构。感谢您的关注。 (记者 谭玉涵) ...
3 天
新洁能SGT-MOSFET和SJ-MOSFET销量分析:如何在竞争激烈的市场中脱颖而出?
在快速发展的半导体行业中,新洁能(605111)近日公布了其在投资者关系平台上的最新数据,引发了市场的广泛关注。根据公司发布的《2024年半年度报告》,其四大产品工艺平台所贡献的收入比例令人瞩目,尤其是SGT-MOSFET产品销售占比高达41.44%,显示了其在市场中的强劲表现。与此同时,SJ-MOSFET产品的销售占比达到11.78%,虽然相对较小,但也显示出潜在的增长空间。
4 天
多产线满负荷生产,士兰微2024业绩大增
在产能利用率方面,士兰微旗下的多个子公司和参股公司均呈现出满负荷生产的态势。其中,士兰集成的5、6吋芯片生产线、士兰集昕的8吋芯片生产线以及士兰集科的12吋芯片生产线均实现了满负荷生产。此外,公司还安排了技改资金,进一步提升8吋线MEMS芯片产能、12吋线IGBT芯片和模拟电路芯片产能,预计2025年各尺寸的芯片生产线将继续保持较高的产出水平。
4 天
深圳佳恩新专利:破解SIC-MOSFET过热难题的关键突破
2025年1月23日,深圳佳恩功率半导体有限公司宣布获得一项新专利——“一种新型芯片正面覆银的SIC-MOSFET结构”,该专利旨在解决SIC-MOSFET(硅碳化物金属氧化物场效应晶体管)在工作中容易过热的问题。SIC-MOSFET作为高效能功率电 ...
4 天
士兰微:预计2024年实现扭亏为盈,LED 芯片生能达14-15 万片/月
杭州士兰微电子股份有限公司预计 2024 年度实现归母净利润为 15,000 万元到 19,000 万元,与上年同期相比,将实现扭亏为盈。预计 2024 年度实现扣非净利润为 18,400 万元到 22,400 万元,与上年同期相比,将增加 ...
6 天
2025年半导体分立器件行业细分市场分析——功率器件(含竞争格局 ...
根据Statista的数据,在新能源汽车、5G、消费电子等行业需求的拉动下,2019-2024年期间,中国功率器件行业市场规模呈波动上升趋势,初步统计2024年市场规模接近1800亿元。
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