1月24日，新洁能（605111.SH）在投资者互动平台上确认，其生产的SiC MOSFET采用平面栅结构。这一信息是在公司回应投资者关于SiC MOSFET制造技术类型的提问时发布的。市场对此反应积极，平面栅结构的SiC ...

每经AI快讯，有投资者在投资者互动平台提问：请问公司SiC MOSFET制造技术是平面型还是沟槽型？ 新洁能（605111.SH）1月24日在投资者互动平台表示，投资者您好！公司的SiC MOSFET是平面栅结构。感谢您的关注。 (记者 谭玉涵) ...

2025年1月23日，深圳佳恩功率半导体有限公司宣布获得一项新专利——“一种新型芯片正面覆银的SIC-MOSFET结构”，该专利旨在解决SIC-MOSFET（硅碳化物金属氧化物场效应晶体管）在工作中容易过热的问题。SIC-MOSFET作为高效能功率电 ...

SGT MOSFET结构具有电荷耦合效应，在传统沟槽MOSFET器件PN结垂直耗尽的基础上引入了水平耗尽，将器件电场由三角形分布改变为近似矩形分布，在采用同样掺杂浓度的外延材料规格情况下，器件可以获得更高的击穿电压。较深的沟槽深度，可以利用更多的硅体积来 ...

在这里，源极和漏极是物理连接的。要了解MOSFET的工作原理，让我们了解耗尽型MOSFET的类型。 耗尽型MOSFET的类型 耗尽型MOSFET结构因类型而异。MOSFET有两种类型的 p 沟道耗尽模式和 n 沟道耗尽模式。因此，下面将讨论每种耗尽型MOSFET结构及其工作原理。 N 沟道 ...

杭州士兰微电子股份有限公司预计 2024 年度实现归母净利润为 15,000 万元到 19,000 万元，与上年同期相比，将实现扭亏为盈。预计 2024 年度实现扣非净利润为 18,400 万元到 22,400 万元，与上年同期相比，将增加 ...

根据Statista的数据，在新能源汽车、5G、消费电子等行业需求的拉动下，2019-2024年期间，中国功率器件行业市场规模呈波动上升趋势，初步统计2024年市场规模接近1800亿元。

增加功率器件的电流通常意味着增加其物理尺寸以保持可接受的功率密度。具有更高击穿电压的材料可以制造更小的器件，因为它们可以承受更高的功率密度。然而，器件之间的间距仍然受到需要充分隔离的限制。垂直器件架构允许设计人员保持相邻器件之间的间隔，同时减少整体电 ...

芝能智芯出品随着功率器件需求在不同应用场景中的快速增长，单一材料的解决方案已经无法满足电压和电流范围的全面要求。基于此，复合材料与创新架构逐渐成为改善器件性能的关键手段，氮化镓（GaN）凭借高电子迁移率和开关速度的优势，在低功耗和部分高压应用中展现出 ...

据报道，2024年5月，士兰微与厦门市人民政府、厦门市海沧区人民政府等多方签署了《8英寸SiC功率器件芯片制造生产线项目战略合作框架协议》及《投资合作协议》，宣布合资在厦门市海沧区建立一条以 SiC MOSFET ...

在CES 2025 Nvidia发布最新GeForce RTX 50显卡系列，而各厂商微调的显卡产品也陆续推出。ROG(Republic of Gamers) 就发布了最新OC版显卡ROG Astral GeForce RTX 5090 OC ...