垂直导电平面结构功率MOSFET管水平沟道直接形成JFET效应，如果把水平的沟道变为垂直沟道，从侧面控制沟道，就可以消除JFET效应。 为了形成这种垂直沟道结构，必须在N-外延层中开沟槽，沟槽表面制作氧化层后，在沟槽内部填充多晶硅形成栅极；在沟槽氧化层 ...

功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。常用的MOSFET的结构有：横向导电双扩散型场效应晶体管LDMOS（Lateral Double-Diffused MOSFET）、垂直导电双扩散型场效应晶体管（Planar MOSFET），沟槽型场效应晶体管 ...

本文将面向普通读者，简要地介绍一下什么MOSFET？以及它的工作原理、结构、类型和用途。 MOSFET 的基本结构包含源极（Source）、漏极（Drain）、栅极 ...

共源共栅（Cascode）结构是通过将一个SiC JFET与一个低压、常关的硅（Si）MOSFET串联而成，其中JFET的栅极连接到MOSFET的源极。MOSFET的漏源电压是JFET栅源电压的反相，从而使cascode 结构具有常见的常关特性。该结构可在额定漏源电压范围内阻断电流，但如同任何MOSFET（无论是硅基还是碳化硅基器件）一样，其反向电流始终可以流通。

【嘉勤点评】捷捷微电发明的新型沟槽栅MOSFET结构方案，在不需要增加终端的宽度的前提下提高了终端耐压能力，因此能够增大元胞区的有效 ...

国产碳化硅MOSFET行业洗牌：从国产SiC碳化硅功率半导体IDM企业看设计公司的生存与终局 国产SiC碳化硅MOSFET设计公司的终局已清晰可辨——极少数被收购、多数破产退出 国产SiC碳化硅MOSFET设计公司的批量淘汰，与其视为行业危机，不如理解为市场机制的自我净化——当参数虚标、低质低价等乱象被清除，真正具备创新能力的企业将获得更大发展空间。 1 行业寒冬：国产碳化硅MOSFET的困境与洗 ...

本文带大家熟悉一下MOSFET的结构和前景。 MOSFET的结构 上图是典型平面N沟道增强型NMOSFET的剖面图。它用一块P型硅半导体材料作衬底，在其面上扩散 ...

SiC的商用化和上车之路已经明显加速。 在SiC MOSFET的技术路线之争上，一直有平面栅和沟槽栅两种不同的结构类型。所谓的沟槽栅，可以通俗的理解 ...

专利授权日为2022年2月22日，专利名称为“具有温度检测功能的MOSFET结构及制造方法”，专利类型为中国发明专利，专利申请号为CN202111373046.4。

SiC MOSFET技术路线 功率SiCMOSFET主要有2种技术路线，根据栅极工艺分为平面型MOSFET(VDMOS)和沟槽型MOSFET(TMOS)，。多数产品均采用SiC VDMOS结构，其工艺简单、阻断能力强，然而导通电阻较大;SiC TMOS是目前的研究热点，其沟道迁移率高，但工艺较为复杂，受栅氧可靠性 ...

本电路中的MOSFET可以在恒温电路中用作加热器和温度传感器。该电路可用作培养皿中某些生物结构的微型恒温器，其他用途则 ...