近日，飞锃半导体（上海）有限公司向国家知识产权局申请了一项名为“一种半导体结构及其形成方法”的专利，旨在攻克当前MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）单元结构存在的可靠性不足及集成度低的问题。此举引发了业界的广泛关注，尤其是在半导体行业持续追求高性能、高集成度的背景下，该技术的实施将可能带来深远的影响。

近日，深圳市森国科科技股份有限公司（以下简称“森国科科技”）在国家知识产权局的批准下，获得了一项名为“SiC ...

在半导体技术迅速发展的今天，合适的散热设计成为了各类电子器件能否良好运作的关键。近日，深圳佳恩功率半导体有限公司成功获得一种名为"新型芯片正面覆银的SIC-MOSFET结构"的专利，此消息引发了广泛关注，并为半导体行业的前景增添了新动力。根据国家知识 ...

在MOSFET的结构中，实际上是存在一个寄生三极管的，如上图。在MOSFET的设计中也会采取各种措施去让寄生三极管不起作用，如减小P+Body中的横向电阻RB。正常情况下，流过RB的电流很小，寄生三极管的VBE约等于0，三极管是处在关闭状态。雪崩发生时，如果流过RB的 ...

近日，从金融界获悉，深圳佳恩功率半导体有限公司成功获得了一项突破性专利，名为“一种新型芯片正面覆银的SIC-MOSFET结构”，专利公告号为CN222320246U。这项专利是在2024年5月申请的，旨在重塑SIC-MOSFET技术领域。

这一节，让我们来学习一个对于集成电路设计师最重要的概念——MOSFET的宽长比（又称作MOSFET的尺寸）。 再回首，MOSFET的结构 如果将MOSFET的沟道类比于水管，我们可以通过让水管的直径更粗来流过更多的水流。那么是否可以通过将沟道的横截面积做的更大 ...

每经AI快讯，有投资者在投资者互动平台提问：请问公司SiC MOSFET制造技术是平面型还是沟槽型？ 新洁能（605111.SH）1月24日在投资者互动平台表示，投资者您好！公司的SiC MOSFET是平面栅结构。感谢您的关注。 (记者 谭玉涵) ...

金融界 2024 年 7 月 28 日消息，天眼查知识产权信息显示，华羿微电子股份有限公司申请一项名为“一种屏蔽栅沟槽 MOSFET 结构及其制备方法“，公开号 CN202410865371.X ，申请日期为 2024 年 7 月。 专利摘要显示，本发明公开了一种屏蔽栅沟槽 MOSFET 结构及其制备方法 ...