微星在CES 2025上推出了两款突破性高性能电源，分别是MEG Ai1600T PCIE5和MPG A1250GS PCIE5，以尖端技术和创新设计重新定义高性能电力供应，为游戏玩家和创作者打造彰显性能与创新的巅峰之作。其中MEG Ai1600T ...

Nexperia正式推出一系列性能高效、稳定可靠的工业级1200 V碳化硅 (SiC) MOSFET。该系列器件在温度稳定性方面表现出色，采用创新的表面贴装 (SMD) 顶部散热封装技术X.PAK。X.PAK封装外形紧凑，尺寸仅为14 mm ...

商用的Si MOSFET 耐压普遍不超过900V，而 SiC 拥有更高的击穿场强，在结构上可以减少芯片的厚度，从而较大幅度地降低 MOSFET 的通态电阻，使其耐压可以提高到几千伏甚至更高。本文带你了解其静态特性。

在过去的几十年中，随着信息技术和电子设备的快速发展，半导体领域也迎来了前所未有的创新与变革。2025年3月22日，金融界传来一则兴奋人心的消息：ASM IP私人控股有限公司（以下称ASM ...

金融界报道，3月22日，台积电（中国）有限公司成功获得了一项颇具意义的专利，名为“横向扩散的MOSFET及其制造方法”，其授权公告号为CN114078969B，申请时间可追溯至2020年10月。此项技术的突破，将为半导体行业带来重要的变革和新的机遇。

LLC谐振转换器的核心优势在于 软开关实现的高效率、宽输入适应性及高功率密度 ，其典型应用涵盖消费电子、工业电源、新能源、医疗等高要求领域。与SiC MOSFET结合后，LLC在高频、高温、高可靠性场景中的性能进一步提升，成为下一代高效电源系统的关键技术。

格隆汇3月17日丨芯联集成(688469.SH)在投资者互动平台表示，公司SiC MOSFET系列工艺平台方面实现了650V到2000V系列的全面布局，其中1200V车载主驱逆变器实现量产，是国内最早能够提供车载主驱逆变器SiC ...

这个电路的核心任务是驱动MOSFET，通过控制其栅极电压来实现开关动作。从电路图来看，驱动器的输出信号经过一系列处理后，控制MOSFET的栅极。PWM信号通过QINV反相后，驱动QOFF来完成MOSFET的关断。听起来挺简单，但细节里可藏着不少“坑”。 我们先来看看MOSFET ...

盖世汽车讯 据外媒报道，先进碳化硅（SiC）功率半导体技术公司NoMIS Power宣布在改善SiC MOSFET的短路耐受时间（SCWT）方面取得了重大突破。这项创新解决了限制SiC技术在高功率应用中广泛采用的关键挑战之一。 图片来源：NoMIS ...

芯联集成在互动平台表示，公司SiC MOSFET系列工艺平台方面实现了650V到2000V系列的全面布局，其中1200V车载主驱逆变器实现量产，是国内最早能够提供车载主驱逆变器SiC MOSFET晶圆制造的企业，技术处于国际领先水平之列；1700V的平面SiC MOSFET也处于国际领先水平，可用于新能源光伏逆变器系统。 在车载SiC ...

韩国首尔 - 市值1.503亿美元、当前股价4.04美元的半导体制造商Magnachip Semiconductor Corporation（纽交所代码：MX）宣布推出新一系列第六代（Gen6）超结金属氧化物半导体场效应晶体管（SJ MOSFETs）。根据 InvestingPro 数据显示，尽管市场面临挑战，该公司仍保持21.66%的健康毛利率。此次推出25款新Gen6 SJ ...

RB368B 是一款内置 MOSFET 的单节锂电池保护芯片。该芯片具有非常低的功耗和非常低阻抗的内置 MOSFET。该芯片有充电过压，充电过流，放电过压 ...