在过去的几十年中，随着信息技术和电子设备的快速发展，半导体领域也迎来了前所未有的创新与变革。2025年3月22日，金融界传来一则兴奋人心的消息：ASM IP私人控股有限公司（以下称ASM ...

商用的Si MOSFET 耐压普遍不超过900V，而 SiC 拥有更高的击穿场强，在结构上可以减少芯片的厚度，从而较大幅度地降低 MOSFET 的通态电阻，使其耐压可以提高到几千伏甚至更高。本文带你了解其静态特性。

这个电路的核心任务是驱动MOSFET，通过控制其栅极电压来实现开关动作。从电路图来看，驱动器的输出信号经过一系列处理后，控制MOSFET的栅极。PWM信号通过QINV反相后，驱动QOFF来完成MOSFET的关断。听起来挺简单，但细节里可藏着不少“坑”。 我们先来看看MOSFET ...

Nexperia正式推出一系列性能高效、稳定可靠的工业级1200 V碳化硅 (SiC) MOSFET。该系列器件在温度稳定性方面表现出色，采用创新的表面贴装 (SMD) 顶部散热封装技术X.PAK。X.PAK封装外形紧凑，尺寸仅为14 mm ...

LLC谐振转换器的核心优势在于 软开关实现的高效率、宽输入适应性及高功率密度 ，其典型应用涵盖消费电子、工业电源、新能源、医疗等高要求领域。与SiC ...

近日，国家知识产权局公布了一项重要专利信息，飞锃半导体（上海）有限公司成功获得了名为“SiC ...

集微网获悉，广东芯粤能半导体有限公司（以下简称“芯粤能”）经过近两年时间的技术研发和测试，已成功开发出第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台。该平台采用芯粤能自主知识产权的沟槽MOSFET结构，可显著降低比导通电阻、提高电流密度，并在确保产品可靠性的同 ...

格隆汇3月17日丨芯联集成(688469.SH)在投资者互动平台表示，公司SiC MOSFET系列工艺平台方面实现了650V到2000V系列的全面布局，其中1200V车载主驱逆变器实现量产，是国内最早能够提供车载主驱逆变器SiC ...

2025年2月13日，南京南瑞半导体有限公司正式向国家知识产权局申请了一项创新专利，标题为“一种SiC MOSFET器件及其制备方法”，旨在有效提高SiC ...

韩国首尔 - 市值1.503亿美元、当前股价4.04美元的半导体制造商Magnachip Semiconductor Corporation（纽交所代码：MX）宣布推出新一系列第六代（Gen6）超结金属氧化物半导体场效应晶体管（SJ MOSFETs）。根据 InvestingPro 数据显示，尽管市场面临挑战，该公司仍保持21.66%的健康毛利率。此次推出25款新Gen6 SJ ...

盖世汽车讯 据外媒报道，先进碳化硅（SiC）功率半导体技术公司NoMIS Power宣布在改善SiC MOSFET的短路耐受时间（SCWT）方面取得了重大突破。这项创新解决了限制SiC技术在高功率应用中广泛采用的关键挑战之一。 图片来源：NoMIS ...

芯联集成在互动平台表示，公司SiC MOSFET系列工艺平台方面实现了650V到2000V系列的全面布局，其中1200V车载主驱逆变器实现量产，是国内最早能够提供车载主驱逆变器SiC MOSFET晶圆制造的企业，技术处于国际领先水平之列；1700V的平面SiC MOSFET也处于国际领先水平，可用于新能源光伏逆变器系统。 在车载SiC ...