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武汉大学何军课题组在二维半导体激子相变领域取得最新进展
文章题目为“Room Temperature Amplified Spontaneous Emission in Two-dimensional WS2beyond Exciton Mott Transition”。武汉大学物理科学与技术学院为第一署名单位和通讯单位，博士生徐琰为论文第一作者，何军教授和于艺羚研究员为通讯作者。 半导体在高激发态下，高密度激子可能 ...