1995年6月，Cree开始布局第三代半导体材料——氮化镓（GaN），采用SiC作为衬底材料进行GaN外延生长。 Cree可以说是用碳化硅制造LED的全球先锋者，由于碳化硅和氮化镓的晶格适配性比较好，Cree用碳化硅做衬底，做氮化镓外延，一度风生水起。