与硅器件相比，碳化硅Cascode JFET具备多项优势。碳化硅作为宽禁带材料，具有更高的击穿电压特性，这意味着其器件可采用更薄的结构支持更高的电压。此外，碳化硅相较于硅的其他优势还包括： ...

第三，并联时必须安装缓冲电路。除了降低开关压摆率外，缓冲电路还能通过缓冲电阻抑制振铃。因此，增加缓冲电路可大大降低振荡的可能性。最后，尽可能依靠缓冲电路来设定开关速度，以最小化栅极电阻。这与直觉相反，但在《cascode ...

本文将深入探讨安森美EliteSiC Cascode JFET相较于同类碳化硅MOSFET的技术优势。 电力电子器件高度依赖于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）等半导体材料。虽然硅一直是传统的选择，但碳化硅器件凭借其优异的性能与可靠性而越来越受 ...

这些器件因各自特性（优缺点不同）而被应用于不同场景。30pednc 然而，安森美（onsemi）的EliteSiC共源共栅结型场效应晶体管（Cascode JFET）器件（图2）将这一技术推向了新高度。该器件基于独特的"共源共栅（Cascode）"电路配置——将常开型碳化硅JFET器件与硅MOSFET ...