这款p沟道增强型电源mosfet犹如电力系统的精密闸门，在vds=-30v、id=-6a的工作条件下展现出卓越性能。 其导通电阻表现尤为亮眼：当VGS=-10V时，RDS(ON)如丝绸般顺滑地低于29mΩ；即便在VGS=-4.5V的温和驱动下，RDS(ON)也始终保持着低于39mΩ的优雅姿态。

矽源特ChipSourceTek-PE3080K作为一款高性能N沟道增强型功率MOSFET，凭借其卓越的电气特性和广泛的应用场景，已成为现代电子系统中电源管理模块的核心元件之一。该器件采用先进的沟槽栅技术（T… ...