FAMES 项目的协调员 Dominique Noguet 表示 基于 10nm FD-SOI 工艺的测试芯片预计将于 2027 年推出 。该制程节点将采用 193nm ArFi DUV 光刻机，采用 SADP 自对准双重曝光实现。

欧洲半导体产业再添重磅消息！FAMES项目近日宣布了一项具有里程碑意义的计划，旨在征集利用10nm和7nm FD-SOI全耗尽型绝缘体上硅工艺的芯片设计。这一消息由法国媒体ECInews首度报道，引发业界热议。项目协调员Dominique Noguet透露，基于10nm FD-SOI工艺的测试芯片预计将在2027年正式面市，标志着欧洲在先进半导体制造领域的重要进展。

欧洲先进FD-SOI中试线项目FAMES近日宣布了一项重要计划，旨在征集采用10nm和7nm FD-SOI全耗尽型绝缘体上硅工艺的芯片设计。这一消息由法国媒体ECInews率先报道，引起了业界的广泛关注。 据FAMES项目的协调员Dominique Noguet介绍，基于10nm FD-SOI工艺的测试芯片有望在2027年面世。这一制程节点将借助193nm ArFi DUV光刻机，并采用SADP自 ...

3 月 19 日消息，据法媒 ECInews 报道，欧洲先进 FD-SOI 中试线（技术试点线）项目 FAMES 当地时间 18 日正式宣布对外公开征集计划采用 10nm、7nm FD-SOI 全耗尽型绝缘体上硅工艺的芯片设计。 FAMES ...

截至2月28日，上海新阳股东户数3.82万，较上期增加0.88%；人均流通股7288股，较上期减少0.87%。2024年1月-9月，上海新阳实现营业收入10.67亿元，同比增长22.57%；归母净利润1.30亿元，同比增长13.99%。