快科技5月23日消息，SK海力士宣布，正在基于其321层堆叠4D NAND闪存的新一代UFS 4.1存储方案，将于2026年第一季度到来，可大大提升智能手机的存储性能。

SK海力士22日宣布，公司成功开发出搭载全球最高321层1Tb TLC(Triple Level Cell) 4D NAND闪存的移动端解决方案产品UFS 4.1。 具备全球领先的顺序读取性能与低功耗特性，专为端侧AI进行优化 产品厚度减薄15%，适用于超薄旗舰智能手机 “凭借全球最高321层的产品组合 ...

IT之家5 月 22 日消息，SK 海力士今日宣布，公司成功开发出搭载全球最高 321 层 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 闪存的移动端解决方案产品 UFS 4.1。 SK 海力士表示：“为了在移动设备上实现端侧（On-device）AI 的稳定运行，所搭载的 NAND 闪存解决方案 ...

SK 海力士近日宣布了一项重大技术突破，成功研发出搭载全球最高堆叠层数的321层1Tb TLC 4D NAND闪存的移动端解决方案——UFS 4.1。这一创新成果标志着SK 海力士在移动存储技术领域迈出了重要一步。 据SK 海力士介绍，为了满足移动设备端侧AI稳定运行的需求 ...

5 月 22 日消息，SK 海力士今日宣布，公司成功开发出搭载全球最高 321 层 1Tb(太比特，Terabit)TLC(Triple Level Cell)4D NAND 闪存的移动端解决方案产品 UFS 4.1。 SK 海力士表示：“为了在移动设备上实现端侧(On-device)AI 的稳定运行，所搭载的 NAND 闪存解决方案产品必须兼具 ...

SK海力士宣布，已开发出UFS 4.1产品，采用了全球最高的321层1Tb 4D NAND闪存，适用于移动应用，可选512GB和1TB两种容量。SK海力士表示，正通过构建具有 ...

SK海力士宣布，公司成功开发出搭载全球最高321层1Tb(太比特，Terabit)TLC(Triple Level Cell)4D NAND闪存的移动端解决方案产品UFS4.1。公司此次开发的新品较上一代基于238层NAND闪存的产品能效提升了7%。同时，成功将产品厚度从1mm减薄至0.85mm，使其能够适配超薄智能手机。( ...

5月22日，SK海力士宣布成功开发出搭载全球最高321层1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND闪存的移动端解决方案产品UFS 4.1。 SK海力士表示：“为了在移动设备上实现端侧（On-device）AI的稳定运行，所搭载的NAND闪存解决方案产品必须兼具高性能与低功耗 ...