研究人员针对GaN-on-GaN肖特基二极管中缺陷分布对器件性能的影响展开研究，通过阴极发光（CL）、拉曼光谱和电学表征技术，对比分析了不同GaN衬底上制备的器件材料特性与电学参数。研究发现，存在位错簇的样品表现出更低的势垒高度（0.64 eV）、更高的理想 ...

氮化镓射频器件已在5G射频、雷达、卫星通信领域得到普遍应用。氮化镓功率器件广泛应用于低功率消费电子市场，并逐步向新能源汽车、高功率数据中心、新能源、工业与通信电源等应用场景渗透。根据Yole的数据，2023年全球氮化镓功率器件应用市场中，消费类（消费电子）应用占比达75%，国防与航空航天、电信与基础设施、汽车与出行、工业、工业电源应用占比分别为10%、8%、4%、2%、1%，如下图所示。

一般情况下，GaN HEMT采用硅（Si）或碳化硅（SiC）作为衬底，但金刚石具有优异的热导率，约为Si的12倍、SiC的4至6倍，因此采用金刚石作为衬底可以将热阻分别降低至1/4和1/2。

前言当今，在高功率电源设计中，半桥拓扑的应用愈发普遍。在半桥拓扑中使用分立氮化镓器件方案，不仅器件占板面积较大，而且会受到寄生电感等因素干扰，影响电源系统效率。于是越来越多的厂商着手推出半桥氮化镓合封芯片，通过将两颗半桥氮化镓器件和驱动器封装在一个芯 ...

作为一款笔电INBOX适配器，实测联想65W 49cc充电器在全输入电压范围内依旧可以稳定长期满载运行，并且其在115V 60Hz环境，效率最高可达93.53%。 作为联想长期信赖的氮化镓技术合作伙伴，镓未来始终以创新驱动行业发展。从65W ...

支持通用输入电压条件下最高65W输出功率。 The quasi-resonant offline converter integrates a 700V gallium nitride (GaN) transistor and optimized gate driver with typical protection features, making wide-bandgap technology ...

在印巴冲突中的5.7空战中，巴基斯坦的歼10CE战斗机成功发射霹雳15E空空导弹，一举击落了印度的六架战机，攻击距离更是超过了180公里，震惊了全球。霹雳15E所装备的有源相控阵雷达导引头因此声名鹊起，然而，这种导引头仅是我国在2015年生产的出口型 ...

泰国商业部部长披猜·纳利巴塔潘表示，泰国将加快谈判进程，力争在今年年底前完成《东盟数字经济框架协议》（DEFA），目标是将东盟打造为亚太地区的数字枢纽。

条件GAN训练与回顾性验证 研究团队构建了两个互补的真值生成体系：对于金标患者，先通过亚毫米级精度的标记定位建立基准，再通过泊松噪声插值算法消除金属伪影；无金标患者则采用治疗CBCT与计划CT的刚性配准结果。这种"双保险"设计有效克服了kV图像软 ...

1背景随着工业自动化、电力电子与新能源系统的不断发展，越来越多的应用场景对高压直流输入、低压多路输出的DC-DC电源提出了新的技术需求。这类电源广泛应用于如高压直流输电、固态变压器、静止同步补偿器、电机驱动、工业变频器等场合，主要用于提供控制、驱动、 ...

然而，你是否知道，在这场算力竞赛的背后，起到关键支撑作用的，不仅仅是芯片与算法，还有每一台服务器背后那颗默默无闻却又不可或缺的“电力心脏”。在AI服务器功耗呈现突破性攀升的态势下（单卡功耗高达3300W，整柜功耗更是飙升至1MW），传统电源架构已然面 ...

公众号记得⭐️，第一时间看推送不会错过。 从电动汽车的高效驱动系统，到光伏发电中的逆变器，再到5G通讯的核心射频模块，以碳化硅为代表的第三代功率半导体相比传统的硅芯片呈现出更为优越的性能。当新能源汽车续航里程突破1000公里、800V高压快充成为标配 ...