Nexperia近日宣布其E-mode GaN FET产品组合新增12款新器件。本次产品发布旨在满足市场对更高效、更紧凑系统日益增长的需求。这些新型低压和高压E-mode GaN ...

近日，纳维塔斯半导体公司在亚特兰大举行的APEC 2025大会上，宣布推出全球首款双向氮化镓 (GaN)功率集成电路 (IC)， ...

在 开关模式电源 中使用 GaN 开关是一种相对较新的技术。这种技术有望提供更高效率、更高功率密度的电源。本文讨论了该技术的准备情况，提到了所面临的挑战，并展望了 GaN 作为硅的替代方案在 开关模式电源 中的未来前景。 本文引用地址： ...

近日，澳大利亚悉尼的激光公司BluGlass展示了其单模氮化镓（GaN）激光器的惊人成果：单个激光芯片成功实现1250mW的功率输出，且同时维持单空间模式。这一成果不仅创下了商业领域与学术界的公开纪录，更标志着激光技术在可见光领域的重大突破。

市值为8066万美元、目前股价为1.77美元的计算机编程和数据处理服务公司GAN Limited（NASDAQ:GAN）今日公布了截至2024年12月31日的第四季度和全年未经审计财务业绩。根据 InvestingPro 分析，尽管该公司目前面临盈利能力挑战，但仍保持着接近71%的高毛利率。

前言在全球能源转型与绿色制造浪潮的推动下，氮化镓功率组件凭借其高频、高效、低损耗的特性，成为替代传统硅基器件的热门选择。然而，现有GaN组件受限于水平结构设计，难以实现与传统硅基或碳化硅组件相同的封装兼容性，导致系统升级成本高、设计复杂。台湾嘉和半导 ...

芝能智芯出品英飞凌发布AI数据中心电源装置（PSU）与电池备份单元（BBU）产品路线图，涵盖3kW至全球首款12kW PSU及4kW至12kW ...

IT之家 3 月 19 日消息，美国 GaN 技术厂商宜普公司（Efficient power Conversion Corporation，EPC）于 2023 年向加州地区法院和 ITC 提起诉讼，声称国产 GaN 芯片龙头英诺赛科侵犯了 EPC ...

然而，这场持续已久的法律战近日迎来了重大转折。英诺赛科宣布，在与美国EPC的专利纠纷中取得了决定性的胜利。美国专利商标局（USPTO）于2025年3月18日正式裁定，EPC所主张的核心专利——US’294号专利，其所有权利要求均无效且应予撤销。这一裁定从根本上动摇了EPC对英诺赛科的侵权指控基础，标志着英诺赛科在这场长达两年的专利大战中全面胜出。

盖世汽车讯 2月27日，半导体制造商罗姆（ROHM Semiconductor）宣布开发出采用TOLL（TO-LeadLess）封装的650V GaN HEMT：GNP2070TD-Z。TOLL封装具有紧凑的设计、出色的散热性、高电流容量和卓越的开关性能，越来越多地被应用于需要高功率处理的应用，特别是在工业设备和汽车系统内部。对于此次发布，封装制造已外包给经验丰富的OSAT（Outsourced ...

这起专利侵权案始于美国EPC于2023年向加州地区法院和ITC（美国国际贸易委员会）提起诉讼，声称英诺赛科侵犯了EPC的4项专利，包括US’294号专利和其他三项美国专利，并寻求禁售与侵权赔偿。 英诺赛科坚决反对ITC有关US’294号专利有效及侵权的裁决，并且已于2025年1月31日向美国联邦上诉法院提起上诉。英诺赛科认为ITC关于US’294号专利的判决有误，应予以推翻。

近期，一家在Micro-LED微显示芯片领域崭露头角的创新企业——诺视科技，宣布成功完成了Pre-A3轮融资。本轮融资由格力金控、中信建投等多家投资机构共同参与，尽管具体融资金额未公开，但这一消息无疑为诺视科技注入了新的活力。