在巴黎第九区的中心地带，您将沉浸在 Merci 互联网沉浸式体验中，让病毒式互联网游戏成为现实。在虚张声势、欢声笑语和鸡尾酒之间，与朋友或 ...

想品尝美食冰淇淋吗？好消息是，自 2025 年 6 月 11 日起，克里永酒店（Hôtel de Crillon）著名的冰淇淋曲奇手推车将在巴黎卷土重来！在协和广场 ...

适配多种类型GaN. 驱动电压灵活调节. 纳芯微开发的E-mode GaN驱动芯片NSD2622N，不仅性能强大，还能够适配不同品牌、不同类型(例如电压型和电流型)以及不同耐压等级的GaN器件。举例来说，NSD2622N的输出电压通过反馈电阻可以设定5V~6.5V的驱动电压。

2012年4月，EDN发表了John Fattaruso设计的一款电路，可以快速测量N-JFET和P-JFET的饱和漏源电流以及夹断电压。夹断电压(Vp)的测量方法是在源极和地之间插入一个非常大的电阻，饱和漏源电流(IDSS)的测量方法是在源极和地之间插入一个小电阻，然后，测量这些电阻两端的电压，并利用欧姆定律计算出Vp和 ...

实现adc自适应分辨率的三个解决方案 如果我们想设计一个带有自适应分辨率的系统要怎么实现？ 高温ic设计必懂基础知识：高结温带来的5大挑战 本文致力于探讨高温对集成电路的影响，介绍高结温带来的挑战，并提供适用于高功率的设计技术以应对这些挑战。

(a) AlGaN/GaN双沟道HEMT外延结构的截面透射电镜图像、(b) 器件结构示意图、(c) 不同光强下光电流特性测试、(c) 响应度随光强变化的变化关系。 参考信息 ： 本文部分素材和图片来自中国科学院苏州纳米所及 网络公开信息 ，本平台发布仅为了传达一种不同观点，不代表对该观点赞同或支持。

当今的电源设计要求高效率和高功率密度。因此，设计人员将氮化镓 (GaN) 器件用于各种电源转换拓扑。 GaN 可实现高频开关，这样可减小无源器件的 ...

NSD2622N是一款专为E-mode GaN设计的高压半桥驱动芯片，该芯片内部集成了电压调节电路，可以生成5V~6.5V可配置的稳定正压，从而实现对GaN器件的可靠 ...

NSD2622N是一款专为E-mode GaN设计的高压半桥驱动芯片，该芯片内部集成了电压调节电路，可以生成5V~6.5V可配置的稳定正压，从而实现对GaN器件的可靠驱动；内部还集成了电荷泵电路，可以生成-2.5V的固定负压用于GaN可靠关断。

huo dong gan wu. 1. 我们要像解放军小分队战士一样机智勇敢，敢于正视困难，善于利用和创造条件，把学习和生活中的困难当作林海雪原中的顽匪一样，正视它，藐视它，一一解决它。 六（1）班 俞雪嫣 ...