SiC MOSFET是近年来MOSFET行业进行技术迭代的主要方向，相较于其他可用技术，碳化硅MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)表现出显著的性能提升，为众多电子应用带来了新的可能性。目前，SiC MOSFET的发展主要经历了三个阶段，其发展历程具体如下 ...

SiC MOSFET的驱动与Si MOSFET的区别之一是驱动电压不同，传统Si MOSFET驱动只要单电源正电压即可，而SiC MOSFET需要单电源正负压驱动。SiC MOSFET要替代Si MOSFET，就要解决负压电路如何实现的问题。 现代工业对电力电子设备提出了很多要求：体积小、重量轻、功率大 ...

商用的Si MOSFET耐压普遍不超过900V，而SiC拥有更高的击穿场强，在结构上可以减少芯片的厚度，从而较大幅度地降低MOSFET的通态电阻，使其耐压可以 ...

SiC MOSFET是近年来MOSFET行业进行技术迭代的主要方向，相较于其他可用技术，碳化硅MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)表现出显著的性能提升，为众多电子应用带来了新的可能性。目前，SiC MOSFET的发展主要经历了三个阶段，其发展历程具体如下 ...

绿色低碳技术创新应用是实现碳中和目标的重要一环，碳化硅是应用于绿色低碳领域的共用性技术，SiC MOSFET替代Si MOSEFET成为了许多厂商的新选择。不过，SiC MOSFET的驱动与Si MOSFET到底有什么区别，替代时电路设计如何调整，是工程师非常关心的。 自举式悬浮驱动 ...

在2011年，在经过了将近二十年的研发之后，科锐推出了全球首款SiC MOSFET。尽管业界先前曾十分怀疑这是否可能实现。在成功发布之前，普遍的观点是SiC功率晶体管是不可能实现的，因为太多的材料缺陷使其不可行。如今，SiC MOSFET问世10周年，从一开始的不被 ...

此次APEC，针对SiC MOSFET，忱芯科技推出了业内领先的裸芯片KGD (Known Good Die) 解决方案。对SiC 功率半导体在Wafer层面的可靠性问题，则带来了动态晶圆 ...

Littelfuse公司30日宣布推出TPSMB非对称TVS二极管系列，这是首款上市的非对称瞬态电压抑制（TVS）二极管，专门用于保护汽车应用中的碳化硅（SiC）MOSFET栅极驱动器。这一创新产品满足下一代电动汽车(EV)系统对可靠过压保护日益增长的需求，提供一种结构紧凑的 ...

公司回复称，公司的SiC器件包括SiC二极管、SiC MOSFET、Si2C MOSFET等器件技术。其中，SiC二极管、SiC MOSFET全部使用了SiC衬底，充分利用SiC宽禁带材料的耐 ...

“这意味着整个新能源汽车采用SiC的市场是完全被打开了。” 詹旭标介绍，目前750V及1200V SiC MOSFET是主驱应用的主流器件，特别是一些400V的平台逐渐被750V SiC MOSFET所替代。不过，他也表示，器件性能、质量、价格、产能仍然是整个主驱大规模应用的必要条件和 ...

北一半导体表示，本轮融资资金将主要用于SiC MOSFET技术的进一步研发，以及产线的升级与扩建。 北一半导体将以本次融资为契机，进一步加强技术 ...

盖世汽车讯 据外媒报道，为超高效、高性能和高压应用提供优质碳化硅（SiC）解决方案的设计商、开发商和全球供应商SemiQ Inc宣布推出一系列1700 V ...