图腾柱 PFC 级基于 MOSFET，通过移除体积大且损耗高的桥式整流器，提高了交流电源的能效和功率密度。 图 2：图腾柱 PFC 级 然而，为了实现超大规模数据中心公司要求的 97.5% 或更高的能效，图腾柱 PFC 需使用基于“宽禁带”半导体材料（如碳化硅 (SiC)）的 MOSFET。

本文详细介绍了SiC MOSFET的动态特性。包括阈值电压特性、开通和关断特性以及体二极管的反向恢复特性。此外，还应注意测试波形的准确性。

Littelfuse公司30日宣布推出TPSMB非对称TVS二极管系列，这是首款上市的非对称瞬态电压抑制（TVS）二极管，专门用于保护汽车应用中的碳化硅（SiC）MOSFET栅极驱动器。这一创新产品满足下一代电动汽车(EV)系统对可靠过压保护日益增长的需求，提供一种结构紧凑的 ...

2023年全球SiC MOSFET 芯片（器件）和模块市场销售额达到了58.4亿元人民币，预计2029年将达到241.08亿元，年均复合增长率（CAGR）为26.65%。 全球范围内SiC MOSFET 芯片（器件）和模块厂商主要包括STMicroelectronics, Semiconductor Components Industries, LLC, Shenzhen BASiC ...

了解SiC MOSFET等半导体器件的失效模式是创建筛选、鉴定和可靠性测试的关键。 了解半导体器件的失效模式是创建筛选、鉴定和可靠性测试的关键，这些测试可以确保器件在数据表规定的范围内运行，并满足汽车和其他电源转换应用中日益严格的十亿分之一的 ...

对于MOSFET器件，这个颠覆性技术创新周期是开发和掌握新基础材料的结果。与基于纯硅的MOSFET比较，基于碳化硅(SiC)的MOSFET的性能更胜一筹。 请注意，本文对比测试所用产品不是研发样品或演示原型，而是已经商用的基于SiC的MOSFET。 作为一个重要的快速发展的 ...

目前英飞凌有2kV的SiC MOSFET产品，也可以在高母线电压的情况下使用两电平结构，简化电路拓扑和控制，如图3所示。 a.I型三电平ACDC变换器拓扑 b.两电平ACDC变换器拓扑 图3：固态变压器中高直流母线ACDC变换器拓扑 对于变压器原副边的隔离DCDC变换器，常常采用LLC ...

SiC MOSFET是近年来MOSFET行业进行技术迭代的主要方向，相较于其他可用技术，碳化硅MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)表现出显著的性能提升，为众多电子应用带来了新的可能性。目前，SiC MOSFET的发展主要经历了三个阶段，其发展历程具体如下 ...

Aos 28 anos, é um dos principais rostos da SIC Notícias. À conversa com o site do ‘Fama Show’, a jornalista falou sobre o seu percurso na televisão e ainda se define enquanto pessoa fora da “caixinha ...