图腾柱 PFC 级基于 MOSFET，通过移除体积大且损耗高的桥式整流器，提高了交流电源的能效和功率密度。JBjednc 然而，为了实现超大规模数据中心公司要求的 97.5% 或更高的能效，图腾柱 PFC 需使用基于“宽禁带”半导体材料（如碳化硅 (SiC)）的 MOSFET。如今 ...

图腾柱 PFC 级基于 MOSFET，通过移除体积大且损耗高的桥式整流器，提高了交流电源的能效和功率密度。 图 2：图腾柱 PFC 级 然而，为了实现超大规模数据中心公司要求的 97.5% 或更高的能效，图腾柱 PFC 需使用基于“宽禁带”半导体材料（如碳化硅 (SiC)）的 MOSFET。

本文详细介绍了SiC MOSFET的动态特性。包括阈值电压特性、开通和关断特性以及体二极管的反向恢复特性。此外，还应注意测试波形的准确性。

在半导体技术不断演进的今天，扬州扬杰电子科技股份有限公司（以下简称扬杰电子）近日获得了一项重要专利——“降低寄生电容的SiC MOSFET器件”。这项专利的授权公告号为CN222721862U，彰显了该公司在电力、热力生产和供应领域的持续创新。根据专利摘要显示 ...

A atriz tem estado focado em projetos diferentes e, durante 2024, integrou o elenco de várias séries da RTP1 e peças de teatro. Contudo, o regresso às novelas pode não acontecer na SIC. De acordo com ...

该图相对完整地表达了主流功率器件所处的位置，尤其是硅基MOSFET, IGBT，还有现在大热的SiC和GaN器件。 英飞凌针对硅基MOSFET、SiC、GaN器件也有相似的对比图——且基于英飞凌目前在三个领域都涉足，就实际应用角度来看，英飞凌对这三者的划分可能也更有说服力 ...

目前主流800V电压架构中，高压部分的大功率用电设备，比如空调压缩机、主驱逆变器等部分，需要用到1200V的SiC MOSFET。为了确保器件在电压波动或 ...

Ler, ver, ouvir e descobrir para compreender, analisar e criticar é o desafio do SIC Explica.me. O Lumi é um amigo que acompanha crianças e jovens dos 6 aos 15 anos numa viagem de aprendizagem. A ...

这项专利的申请日期为2025年2月，标志着旭矽半导体在功率半导体领域的又一次重要突破。 SIC MOSFET器件：功率半导体的未来方向SIC MOSFET器件因其卓越的耐压性能和低开关损耗，被认为是下一代功率半导体的核心技术。旭矽半导体的这项专利通过创新的高K材料 ...