电子工程专辑5 天
中国在基于新型SiC复合衬底的低成本MOSFET上取得重要进展
通过表面活化键合技术和离子注入剥离技术，将高质量SiC薄层键合转移到低质量单晶SiC衬底上，实现了低质量单晶SiC衬底有效 ...
EDN电子技术设计21 天
基于SiC的高电压电池断开开关的设计注意事项
作为一种变通方法，可以使用包括串联低电压硅MOSFET的共源共栅配置来实现常闭器件。串联硅器件的加入增加了复杂度，进而削弱了JFET在高电流应用中的一些优势。SiC MOSFET属于常闭器件，兼具许多系统中所需的低电阻和可控性。K88ednc 热封装 SiC功率模块可实现 ...
sic2 天
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电子工程专辑29 天
既然MOSFET栅-源阻抗非常大，为什么设计驱动MOS电路的栅极电流还要大 ...
三极管是流控型器件，通过电流控制三极管的工作区，而MOSFET与之相对是压控型器件，栅-源阻抗非常大，我们一般认为MOSFET栅-源工作电流可以忽略，那既然MOSFET是压控型器件，为什么设计MOFET驱动电路时，栅极驱动电流要大呢？ 要想回答上面的问题，就不得不 ...