垂直整合模式（IDM）的规模效应：BASiC基本股份等IDM厂商通过全产业链布局（国产衬底、国产外延、国产流片、国产封装）降低中间环节加价，规模化生产显著摊薄固定成本。 高频特性带来的系统成本优化：SiC MOSFET的高开关频率（如40kHz以上）允许使用更小的 ...

3300V XHP封装SiC碳化硅模块，SiC碳化硅IPM模块 SiC碳化硅MOSFET功率模块凭借高频、高效、耐压耐温等特性，SiC碳化硅MOSFET功率在制氢电源中全面取代IGBT模块已成必然趋势。随着国产技术突破（如8英寸衬底量产）和成本持续下降，未来3-5年SiC碳化硅MOSFET功率将主导 ...

串联硅器件的加入增加了复杂度，进而削弱了JFET在高电流应用中的一些优势。SiC MOSFET属于常闭器件，兼具许多系统中所需的低电阻和可控性。K88ednc 热封装 SiC功率模块可实现高级别的系统优化，这很难通过并联分立MOSFET来实现。Microchip的mSiC™模块具有多种配置 ...

本书所有章节均旨在提供关于多芯片SiC MOSFET功率模块定制开发相关 ... 因此SiC模块主要采用主流的、标准化的模块封装。然而，由于SiC和Si材料的 ...

通过表面活化键合技术和离子注入剥离技术，将高质量SiC薄层键合转移到低质量单晶SiC衬底上，实现了低质量单晶SiC衬底有效 ...

杭州士兰微电子股份有限公司预计 2024 年度实现归母净利润为 15,000 万元到 19,000 万元，与上年同期相比，将实现扭亏为盈。预计 2024 年度实现扣非净利润为 18,400 万元到 22,400 万元，与上年同期相比，将增加 ...

然而，事情并非如此简单：为了在SiC制造领域站稳脚跟，就必须拥有专门用于SiC的昂贵设备。SiC晶圆的生长温度超过2700℃，生长速度至少比Si慢200倍，这就需要大量的能量。另一方面，GaN在很大程度上可以使用与Si半导体制程相同的设备，GaN外延 ...

士兰微公告称，预计2024年1-12月扣除非经常性损益后的净利润盈利:18,400万元至22,400万元,同比上年增长:212.39%至280.31%,同比上年增长12,510万元至16,510万元。预计2024年1-12月归属于上市公司股东的净利润盈利:15,000万元至19,000万元。公告显示，(一)报告期内,面对市场竞争加剧的压力,公司通过持续推出富有竞争力的产品 ...

1月20日，芯联集成跌0.21%，成交额2.79亿元，换手率1.33%，总市值336.01亿元。 根据AI大模型测算芯联集成后市走势。短期趋势看，该股当前无连续增减仓现象，主力趋势不明显。主力没有控盘。中期趋势方面，上方有一定套牢筹码积压。近期该股获筹码青睐，且集中度渐增。舆情分析来看，1家机构预测目标均价4.10，低于当前价-13.87%。目前市场情绪悲观。 1、公司主营业务是功率半导体和MEM ...

在工作其间遇到的大问题没有，小问题还是有不少，这里就举一两个来说一下。第一个就是，先看下下面的这个封装，你能猜出它的引脚间距是多少吗？这种排线座比较常规的是0.6mm间距（即排线是0.3mm间距）的，而这个规格也是我们用得最多的，所以我们按惯性 ...