图腾柱 PFC 级基于 MOSFET，通过移除体积大且损耗高的桥式整流器，提高了交流电源的能效和功率密度。 图 2：图腾柱 PFC 级 然而，为了实现超大规模数据中心公司要求的 97.5% 或更高的能效，图腾柱 PFC 需使用基于“宽禁带”半导体材料（如碳化硅 (SiC)）的 MOSFET。

如今，所有 PFC 级均采用 SiC MOSFET 作为快速开关桥臂，并使用硅基超级结 MOSFET 作为相位或慢速桥臂。 与硅 MOSFET 相比，SiC MOSFET 性能更优、能效也更 ...

图腾柱 PFC 级基于 MOSFET，通过移除体积大且损耗高的桥式整流器，提高了交流电源的能效和功率密度。 图 2：图腾柱 PFC 级 然而，为了实现超大规模数据中心公司要求的 97.5% 或更高的能效，图腾柱 PFC 需使用基于“宽禁带”半导体材料（如碳化硅 (SiC)）的 MOSFET。

2023年全球SiC MOSFET 芯片（器件）和模块市场销售额达到了58.4亿元人民币，预计2029年将达到241.08亿元，年均复合增长率（CAGR）为26.65%。 全球范围内SiC MOSFET 芯片（器件）和模块厂商主要包括STMicroelectronics, Semiconductor Components Industries, LLC, Shenzhen BASiC ...

T/CASAS 042-2024碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温栅偏试验方法现行查看 T/CASAS 046-2024碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态反偏(DRB)试验方法现行查看 T/CASAS 043-2024碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）高温反偏试验 ...

供客户评估的测试样品现已出货。 反向导通操作期间 [4] ，当体二极管双极通电 [3] 时，普通SiC MOSFET的可靠性会因导通电阻增加而降低。Toshiba SiC ...

了解SiC MOSFET等半导体器件的失效模式是创建筛选、鉴定和可靠性测试的关键。 了解半导体器件的失效模式是创建筛选、鉴定和可靠性测试的关键，这些测试可以确保器件在数据表规定的范围内运行，并满足汽车和其他电源转换应用中日益严格的十亿分之一的 ...

近日，上海瞻芯电子科技股份有限公司（简称“瞻芯电子”）基于第三代工艺平台开发的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET产品（IV3Q12013T4Z）通过了车规级可靠性(AEC-Q101)测试认证；同时，瞻芯电子第三代1200V SiC MOSFET工艺平台正式量产，后续将依托浙江义乌的车规级碳化硅(SiC ...

一些器件，例如二极管和 SiC 功率 MOSFET，非常昂贵，如果您不能 100% 确定电路，则不方便进行试验。电路的模拟非常重要，因为它允许在所有条件下进行完整分析，同时在计算机后面保持安全。在本文中，我们将使用 LTspice 软件。 适合正确使用 SiC MOSFET 的优秀 ...

SiC MOSFET是近年来MOSFET行业进行技术迭代的主要方向，相较于其他可用技术，碳化硅MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)表现出显著的性能提升，为众多电子应用带来了新的可能性。目前，SiC MOSFET的发展主要经历了三个阶段，其发展历程具体如下 ...