图腾柱 PFC 级基于 MOSFET，通过移除体积大且损耗高的桥式整流器，提高了交流电源的能效和功率密度。 图 2：图腾柱 PFC 级 然而，为了实现超大规模数据中心公司要求的 97.5% 或更高的能效，图腾柱 PFC 需使用基于“宽禁带”半导体材料（如碳化硅 (SiC)）的 MOSFET。

基于士兰微自主研发的Ⅱ代 SiC-MOSFET 芯片生产的电动汽车主电机驱动模块在4家国内汽车厂家累计出货量5万只，随着6吋SiC芯片生产线产能释放，已实现大批量生产和交付。 目前，士兰微已完成第Ⅳ代平面栅SiC-MOSFET 技术的开发，性能指标接近沟槽栅SiC器件的水平。

截至目前，士兰明镓已形成月产9,000片6英寸SiC MOS芯片的生产能力。 基于公司自主研发的Ⅱ代SiC-MOSFET芯片生产的电动汽车主电机驱动模块在 4家国内汽车厂家累计出货量5万只，客户端反映良好，随着6英寸SiC芯片生产线产能释放，已实现大批量生产和交付。

本文详细介绍了SiC MOSFET的动态特性。包括阈值电压特性、开通和关断特性以及体二极管的反向恢复特性。此外，还应注意测试波形的准确性。

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