为解决4H-SiC ... GaN高迁移率的混合器件提供了关键技术路径。 关键技术包括：热壁化学气相沉积（CVD）生长4H-SiC外延层，原子力显微镜（AFM）表征表面形貌，霍尔效应测量载流子迁移率，以及X射线衍射（XRD）确认衬底偏角方向。研究使用0.5°偏角[11-20]方向的4H-SiC ...

近日，纯化合物半导体代工厂#稳懋半导体（WIN Semiconductors）推出基于SiC衬底的0.12微米栅极长度D型GaN HEMT技术 ... 公开资料显示，稳懋半导体是全球领先的 GaAs 和 GaN 晶圆代工服务提供商，服务于无线、基础设施和网络市场。稳懋半导体公司为其代工合作伙伴 ...

导言： Si基IGBT在电力电子应用行业占据主导地位，比如 不间断电源、工业电机驱动、有轨电车以及电动汽车( EV) 等 ； 市场对更小型化产品的需求，使得碳化硅( SiC) MOSFET, GaN HEMT等将会 成为这些应用中受欢迎的替代品；同时，由于短时间内SiC MOSFET的成本还比IGBT ...

近日，日本半导体大厂#瑞萨电子（Renesas）传出解散其碳化硅（SiC）团队，并取消原定于2025年初的SiC功率半导体量产计划，这一消息在半导体行业激起千层浪。结合多方消息显示，目前瑞萨电子正准备出售其位于群马县高崎工厂的全新碳化硅设备，而其群马县高崎工厂或改回做传统的硅基市场、部分SiC设计小产线，以及为其未来氮化镓器件研发和生产做准备。瑞萨此举不仅仅 ...

SiC在650V时具有某些产品可用性，但通常设计用于1200V及更高的电压。 从系统的角度来看，GaN的价值来自尺寸，重量和成本的降低，成本包括BOM成本（其他系统组件的成本，如电容器，散热器和电感器的成本），使用和散热成本。例如，在电源中从Si变为GaN可能会 ...

为解决中国主导全球镓(Ga)供应链(2023年占98%产量)导致的进口国供应风险问题，劳伦斯伯克利国家实验室团队通过物质流分析(MFA)评估美国镓生命周期流动，结合技术经济评估(TEA)建模两种本土生产路径（拜耳法废液和锌浸出渣(ZLR)提炼）。研究发现：到2035年 ...

Carbontech2025第九届国际碳材料大会暨产业展览会（12月9-11日 上海），以“材料创新驱动产业变革”为主线，构建覆盖全产业链的三大主题展馆，其中N1半导体碳材料馆聚焦金刚石及超硬材料的最新成果与应用。 欢迎扫码申请加入专业交流群 近日，英伟达与纳微 ...

2025年无疑是港股IPO大年！ 据Wind数据显示，截至5月30日，今年港交所共迎来141家公司递表（剔除已失效），仅5月就达38家；而A股前5个月仅受理了22家，市场热度对比鲜明。 与以往相比，今年递表港股的公司整体质量有所提高，尤其是拟A+H双重上市的公司中，有不少是各个细分领域的龙头。 优质新股往往能为市场带来活力，吸引更多的场外资金，对周边市场形成虹吸效应。从目前的趋势来看，港股的投资机 ...

分布式 DC 电源则要求电感器具有小体积、高功率密度和低 DCR(直流电阻)，以减少整体损耗。 随着数据中心 PSU 越来越多地采用 GaN、SiC 等宽禁带半导体器件，这就要求电感能够适配这些高频器件，同时降低磁芯损耗，进一步提高系统的转换效率。 电感选型推荐 ...