MRAM是最近的新兴技术之一。STT-MRAM可以取代低密度DRAM和SRAM，特别是在移动和存储设备应用。但STT-MRAM是何方神圣？它与其他存储技术有什么不同？ OPTION_5:HP 存储器是当今每一个计算机系统、存储方案和移动设备都使用的关键部件之一。存储器的性能、可扩展性 ...

MRAM，即磁阻式随机访问存储器的简称，兼备SRAM的高速读写性能与闪存存储器的非易失性。STT-MRAM是通过自旋电流实现信息写入的一种新型MARM，属于MRAM的二代产品，解决了MRAM写入信息存在的问题。 STT-MRAM存储单元的核心仍然是一个MTJ（磁性隧道结），由两层不同 ...

磁变存储器（MRAM）基于隧穿磁阻效应的技术，具有读写次数无限、写入速度快、功耗低、和逻辑芯片整合度高等特点。美国 Everspin 公司推出的 STT ...

其中之一是铠侠和 SK hynix 的联合研究成果，这是关于使用交叉点结构的 64 Gbit 高容量 STT（自旋注入扭矩）——MRAM原型的演示。其余两项是三星电子 ...

当下的 MRAM 家族成员包含三类：自旋转移扭矩 (spin-transfer torque ：STT)、自旋轨道扭矩 (spin-orbit torque：SOT)、电压控制（VCMA-和 VG-SOT）。 在非易失性 ...

台积电表示新款 SOT-MRAM 内存搭载创新运算架构，功耗仅为 STT-MRAM 的 1%，相关研发成果领先国际，并在全球微电子元件领域顶尖会议国际电子元件 ...

stt-mram则进一步通过自旋电流实现数据写入，具备结构简单、成本低、损耗小、速度快等一系列优点，只是容量密度提升困难，所以想取代内存 ...

经过多年研究，MRAM已经分为多种类型和路线：STT-MRAM 有效地解决了SRAM存储器在不活动时“泄漏”能量的问题；SOT-MRAM显著提高了器件的耐用性和读取 ...

技术方面,目前主流的MRAM技术主要以美国Everspin公司推出的STT-MRAM（垂直混合自旋扭矩转换磁性随机存储器）为代表。Everspin是一家设计、制造和商业 ...

7月28日，以“闪耀数字经济新引擎”为主题的2022全球闪存峰会（Flash Memory World）在线上盛大召开。华中科技大学计算机学院冯丹院长以“基于STT-MRAM的近似存储”为题发表了主旨演讲。 华中科技大学计算机学院院长冯丹报告的主要内容分为四个部分，主要分享 ...