针对磁性拓扑绝缘体(MTIs)如MnBi2Te4的晶体生长难题，俄罗斯研究团队创新性开发了三相包晶法（L+SA源），成功制备出厘米级GeAs2Te4型结构单晶及Mn(Bi,Sb)2Te4等固溶体。该方法通过精确控制熔体-固体浮动片-晶体三相平衡，解决了传统熔融法在窄初晶区化合物的生长瓶颈，为量子反常霍尔效应(QAHE)研究 ...