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3 天
上海华虹宏力申请灵敏放大器电路专利,能提高闪存读取的准确性
金融界2025年1月31日消息,国家知识产权局信息显示,上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“灵敏放大器电路”的专利,公开号CN 119380785 A,申请日期为2024年9月。
3 天
华虹宏力灵敏放大器电路专利申请 助力闪存读取准确性提升
自2013年成立以来,华虹宏力以其卓越的工艺和技术不断发展壮大。目前,该公司在知识产权领域拥有超过5000项专利信息,其中包括多个关于存储器和放大器技术的专利,显示了其在半导体行业的强大研发能力。通过不断的技术创新,华虹宏力不仅提升了自身的竞争优势, ...
eeworld.com.cn
2 天
带有用于 NCV3063 1.5A 升压开关稳压器的外部 NMOS 晶体管的典型升压 ...
NCV3063 1.5A 升压开关稳压器具有外部 NMOS 晶体管的典型升压应用原理图。 NCP3063 系列是流行的 MC34063A 和 MC33063A 单片 DC-DC 转换器的更高频率升级版。这些器件由内部温度补偿基准、比较器、具有有源限流电路的受控占空比振荡器、驱动器和高电流输出开关组成 ...
来自MSN
25 天
知识科普:一分钟快速了解Buck电路自举电路
在同步结构中,MOS管作为开关管可以有两种使用方式。 不需要外部自举电路:上管为PMOS 下管为NMOS,驱动上管PMOS就不需要产生比VIN还高的电压,也就不需要BOOT电容。 2.需要外部自举电路:上管和下管均为NMOS 为什么要用自举电路呢? 这是因为在一些电路中使用 ...
eeworld.com.cn
17 天
用于 NCP3063 1.5A 升压开关稳压器的带有外部 NMOS 晶体管的典型升压 ...
NCP3063 1.5A 升压开关稳压器具有外部 NMOS 晶体管的典型升压应用原理图。 NCP3063 系列是流行的 MC34063A 和 MC33063A 单片 DC-DC 转换器的更高频率升级版。这些器件由内部温度补偿基准、比较器、具有有源电流限制电路的受控占空比振荡器、驱动器和高电流输出开关组成 ...
18 天
芯聆半导体新专利:降低电荷泵面积的创新驱动电路
电荷泵是一种关键的电力管理组件,广泛应用于各类电子设备中,包括手机、平板电脑、便携式设备等。芯聆半导体的新专利中,输入功率管采用了NMOS管设计,这一选择有效地降低了导通损耗,提升了电荷泵的能效。具体而言,专利的驱动电路设计允许高端源跟随NMOS管的 ...
腾讯网
13 天
印度版还专门做了特殊设计,华为65W快充充电器拆解
前言近期充电头网又拿到了华为一款65W USB-C快充充电器,与此前拆解的华为同功率快充产品相比,这款的特殊之处在于其是专门在印度使用的电源,配备标准印规插脚,支持100-240V宽电压输入以及65W输出。下面充电头网就带来华为这款65W ...
来自MSN
7 天
TSV太贵了,制造3D芯片,新办法
如果您希望可以时常见面,欢迎标星收藏哦 ~ 对电子元件三维 ( 3D ) 集成的需求正在稳步增长。尽管存在巨大的加工挑战,硅通孔 ( TSV ) 技术仍是集成 3D 格式单晶器件元件的唯一可行方法。尽管单片 3D ( M3D:monolithic ...
腾讯网
17 天
日本知名品牌的充电器也是中国芯,拆解一款65W氮化镓充电器
前言近期充电头网拿到了無印良品(MUJI)的一批智能充电设备,其中一款是65W氮化镓快充充电器MS-FCW2CN。这款产品采用时下主流柱状造型设计,并配备2C1A快充接口,能够最多给3个设备同时供电,并且在氮化镓技术加持下,体积控制得也很好。下面充电头网对这款产品进行详细拆解,看看做工用料如何。無印良品65W氮化镓充电器开 ...
证券之星
4 天
晶体管技术变革,谁是最大挑战
随着英特尔迈向又一次重大变革——从 FinFET 转向 RibbonFET(更通俗的说法是纳米片晶体管)—— IEEE Spectrum向 Ghani 询问迄今为止最危险的变革是什么。在这个设备整个架构都发生改变的时代,他的回答有些令人惊讶,那就是早在 2008 年就引入的一项变革,从外观上看,晶体管与以前非常相似。
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