在新年的开端，扬州扬杰电子科技股份有限公司（以下简称“扬杰电子”）迎来了重磅消息：国家知识产权局正式授予其一项颇具前景的专利，名为“提高体二极管导通性能SiC MOSFET结构”，授权公告号为CN222322090U，申请日期回溯至2024年5月。

2025年1月23日，深圳佳恩功率半导体有限公司宣布获得一项新专利——“一种新型芯片正面覆银的SIC-MOSFET结构”，该专利旨在解决SIC-MOSFET（硅碳化物金属氧化物场效应晶体管）在工作中容易过热的问题。SIC-MOSFET作为高效能功率电 ...

杭州士兰微电子股份有限公司预计 2024 年度实现归母净利润为 15,000 万元到 19,000 万元，与上年同期相比，将实现扭亏为盈。预计 2024 年度实现扣非净利润为 18,400 万元到 22,400 万元，与上年同期相比，将增加 ...

图3展示了符合ORv3-HPR标准的第一代PSU的部署示例：PFC级可以采用两个交错的图腾柱拓扑结构，其中，650V CoolSiC™ MOSFET用于快臂开关，600V CoolMOS™ SJ ...

硒化铟，作为一种无机化合物半导体材料，因其优异的电子迁移率和高饱和速度而备受瞩目。然而，它一直面临着难以实现P型半导体特性的问题，只能用作N型半导体限制了它的大规模商业化应用··· 硒化铟，作为一种无机化合物半导体材料，因其优异的电子 ...

利用一个小技巧，可以为设备或元件指定温度。在示例中，电阻在27°C时为330欧姆，这是LTspice的默认温度，为电阻分配温度系数tc=0.00005，并将以下值分配给组件：RVhednc 在设计功率电路时，检查MOSFET的最高温度非常重要，为此有必要监控结温，即半导体的实际 ...

就在刚刚，OpenAI 正式宣布重组公司结构。 官方声明指出，OpenAI 计划将从营利性公司转变为特拉华州公共利益公司（PBC）。 PBC（公共利益公司 ...

为了使SiC沟槽MOSFET性能超越平面结构，沟槽电流利用率必须达到100%。 当前平面技术（Planar）的优势 安森美（onsemi）如何打破维度势垒，将成熟的平面技术提升到一个新的水平？ 安森美在将沟槽技术作为自己 '路线图'上的一条重要技术路线的同时，还采取了两条 ...

RNA分子作为生命活动的重要组成部分，其结构的多样性和动态性对功能的实现至关重要。然而，RNA分子的高异质性和柔性使得解析其三维结构成为 ...