“清华电机”消息，近日，第37届功率半导体器件和集成电路国际会议 (International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs, ...

共源共栅（Cascode）结构是通过将一个SiC JFET与一个低压、常关的硅（Si）MOSFET串联而成，其中JFET的栅极连接到MOSFET的源极。MOSFET的漏源电压是JFET栅源电压的反相，从而使cascode 结构具有常见的常关特性。该结构可在额定漏源电压范围内阻断电流，但如同任何MOSFET（无论是硅基还是碳化硅基器件）一样，其反向电流始终可以流通。

2022年初科创板上市，号称“充电桩芯片第一股”的东微半导（688261），在过去几年穿越一轮功率半导体牛熊周期后，其股价已经从最高位的179.27元跌至如今的38.63元，跌幅近八成！ 功率半导体下行周期，公司竞争颓势尽显 东微半导成立于2008年，作为功率半导体Fabless厂商，公司业务涵盖高压超级结MOSFET以及中低压屏蔽栅MOSFET产品等，广泛应用于5G基站电源及通信电源、数据中心和 ...

众所周知，新能源汽车主驱逆变器对碳化硅芯片的可靠性要求非常高，为确保逆变器在整个使用寿命期间功能正常，通常碳化硅芯片产品在出厂前均需进行老化测试，以筛选掉可靠性异常的SiC MOSFET芯片。 但是如何高效、低成本而准备地筛选异常SiC芯片一直是产业界的难题。 近日，理想汽车在第37届ISPSD会议上发表了题为《Analysis on BVDSS Outlier Chips and Screeni ...

涵盖高速MOSFET市场规模与增长率、产业链结构、区域市场特征、竞争格局及企业经营状况等核心维度。报告特别关注美国新关税政策对高速MOSFET行业的多重影响，包括供应链重构、企业成本压力及本土化机遇，并结合政策变量修正行业增长模型，为投资者及企业 ...

本文将面向普通读者，简要地介绍一下什么MOSFET？以及它的工作原理、结构、类型和用途。 MOSFET 的基本结构包含源极（Source）、漏极（Drain）、栅极 ...

近日，金融界报道了江苏慧易芯科技有限公司在国家知识产权局申请的新专利，名为“屏蔽栅沟槽MOSFET器件结构及制造方法”，公开号为CN119300449A。

作为全球高端半导体设备制造商，来自德国的PVA TePla同样亮相本次展会，并对外展示旗下最新产品——首款国产碳化硅晶体生长设备“SiCN”。

金融界 2024 年 7 月 28 日消息，天眼查知识产权信息显示，华羿微电子股份有限公司申请一项名为“一种屏蔽栅沟槽 MOSFET 结构及其制备方法“，公开 ...

1、超结结构 高压功率MOSFET管早期主要为平面型结构，采用厚低掺杂的N-外延层epi，保证器件具有足够击穿电压，低掺杂N-外延层epi尺寸越厚，耐压额定值越大，但是，导通电阻随电压以2.4-2.6次方增长，导通电阻急剧增大，电流额定值降低。为了获得低导通电阻值，就必须增大硅片面积，需要更大 ...