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2 天
扬杰电子斩获新专利,提升SiC MOSFET性能,再掀半导体热潮!
在新年的开端,扬州扬杰电子科技股份有限公司(以下简称“扬杰电子”)迎来了重磅消息:国家知识产权局正式授予其一项颇具前景的专利,名为“提高体二极管导通性能SiC MOSFET结构”,授权公告号为CN222322090U,申请日期回溯至2024年5月。
2 天
深圳佳恩新专利:破解SIC-MOSFET过热难题的关键突破
2025年1月23日,深圳佳恩功率半导体有限公司宣布获得一项新专利——“一种新型芯片正面覆银的SIC-MOSFET结构”,该专利旨在解决SIC-MOSFET(硅碳化物金属氧化物场效应晶体管)在工作中容易过热的问题。SIC-MOSFET作为高效能功率电 ...
2 天
士兰微:预计2024年实现扭亏为盈,LED 芯片生能达14-15 万片/月
杭州士兰微电子股份有限公司预计 2024 年度实现归母净利润为 15,000 万元到 19,000 万元,与上年同期相比,将实现扭亏为盈。预计 2024 年度实现扣非净利润为 18,400 万元到 22,400 万元,与上年同期相比,将增加 ...
新浪网
21 天
技术洞察 | 英飞凌CoolSiC和CoolGaN产品,升级电源和机架架构,满足AI ...
图3展示了符合ORv3-HPR标准的第一代PSU的部署示例:PFC级可以采用两个交错的图腾柱拓扑结构,其中,650V CoolSiC™ MOSFET用于快臂开关,600V CoolMOS™ SJ ...
EDN电子技术设计
22 天
超越硅极限的双极半导体器件,关断/接通比超10亿
硒化铟,作为一种无机化合物半导体材料,因其优异的电子迁移率和高饱和速度而备受瞩目。然而,它一直面临着难以实现P型半导体特性的问题,只能用作N型半导体限制了它的大规模商业化应用··· 硒化铟,作为一种无机化合物半导体材料,因其优异的电子 ...
eeworld.com.cn
23 天
「结构电池」新突破丨未来电池或像「脂肪」一样遍布全车?
过去一段时间,关于结构电池的讨论及研究正风生水起。 今年九月底的特斯拉“电池日”上,Elon Musk 就曾许下承诺:除了无钴阳极和纯镍阴极等高能技术外,他们还会将电池变成车架,在提升车辆强度的同时帮助电动车减重 10%,而减重则意味着续航提升。
EDN电子技术设计
23 天
用于电路分析和设计的Spice仿真指南–第13部分:温度管理
利用一个小技巧,可以为设备或元件指定温度。在示例中,电阻在27°C时为330欧姆,这是LTspice的默认温度,为电阻分配温度系数tc=0.00005,并将以下值分配给组件:RVhednc 在设计功率电路时,检查MOSFET的最高温度非常重要,为此有必要监控结温,即半导体的实际 ...
eeworld.com.cn
27 天
永磁式直流伺服电机的结构组成 永磁式直流伺服电机的工作原理
它具有响应速度快、控制精度高、运行稳定等优点。本文将详细介绍永磁式直流伺服电机的结构组成和工作原理。 一、永磁式直流伺服电机的结构组成 定子(Stator) 定子是电机的静止部分,通常由硅钢片叠压而成,以减小涡流损耗。定子内部设有多个线圈 ...
36氪
28 天
刚刚,OpenAI 突然宣布重组结构
就在刚刚,OpenAI 正式宣布重组公司结构。 官方声明指出,OpenAI 计划将从营利性公司转变为特拉华州公共利益公司(PBC)。 PBC(公共利益公司 ...
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