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扬杰电子斩获新专利,提升SiC MOSFET性能,再掀半导体热潮!
在新年的开端,扬州扬杰电子科技股份有限公司(以下简称“扬杰电子”)迎来了重磅消息:国家知识产权局正式授予其一项颇具前景的专利,名为“提高体二极管导通性能SiC MOSFET结构”,授权公告号为CN222322090U,申请日期回溯至2024年5月。
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深圳佳恩新专利:破解SIC-MOSFET过热难题的关键突破
2025年1月23日,深圳佳恩功率半导体有限公司宣布获得一项新专利——“一种新型芯片正面覆银的SIC-MOSFET结构”,该专利旨在解决SIC-MOSFET(硅碳化物金属氧化物场效应晶体管)在工作中容易过热的问题。SIC-MOSFET作为高效能功率电 ...
2 天
士兰微:预计2024年实现扭亏为盈,LED 芯片生能达14-15 万片/月
杭州士兰微电子股份有限公司预计 2024 年度实现归母净利润为 15,000 万元到 19,000 万元,与上年同期相比,将实现扭亏为盈。预计 2024 年度实现扣非净利润为 18,400 万元到 22,400 万元,与上年同期相比,将增加 ...
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