SK 海力士近期在AI存储领域取得了重大突破，正式揭晓了其专为人工智能应用设计的超高性能DRAM新品——12层（12Hi）HBM4内存。据悉，该公司已率先向全球主要客户提供了该内存的样品。

在人工智能领域的激烈竞争中，SK海力士再度向前推进，正式推出其最新的12层（12Hi）HBM4内存样品，标志着AI存储解决方案的一个重大飞跃。该公司以其创新的24Gb DRAM芯片和尖端的MR-MUF键合技术，赋予了这款内存无与伦比的性能。

快科技3月19日消息， 今天SK海力士宣布推出面向AI的超高性能12层（12Hi）HBM4内存，并在全球率先向主要客户出样， 这也意味着SK海力士在高性能内存领域再次取得领先。

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财联社3月19日讯（编辑 周子意） 韩国半导体巨头SK海力士周三（3月19日）宣布，已向英伟达等主要客户交付了其第六代高带宽存储芯片产品——12层HBM4的样品。这一最新进展标志着先进内存解决方案的竞争进入了关键时刻。

SK海力士19日宣布，推出以AI为导向的超高性能DRAM新产品12层HBM4（高频宽记忆体），并且全球首次向主要客户提供了样品。运行速度与前一代HBM3E相比，提高了60％以上。SK海力士强调，「以引领HBM市场的技术竞争力和生 ...

向主要客户提早供应面向AI的超高性能DRAM新产品“12层HBM4”样品经过验证后，预计在下半年开始量产，实现了世界最高水平的带宽和容量“通过克服技术局限满足客户要求，成为了AI生态创新的领先者”2025年3月19日，SK海力士宣布，推出面向AI的超 ...

SK海力士采用先进的MR-MUF工艺，使12层HBM4产品实现了36GB的最高容量。公司计划在今年下半年完成该产品的量产准备工作，进一步推动人工智能技术的发展。