欧洲先进FD-SOI中试线项目FAMES近日宣布了一项重要计划，旨在征集采用10nm和7nm FD-SOI全耗尽型绝缘体上硅工艺的芯片设计。这一消息由法国媒体ECInews率先报道，引起了业界的广泛关注。

欧洲半导体产业再添重磅消息！FAMES项目近日宣布了一项具有里程碑意义的计划，旨在征集利用10nm和7nm FD-SOI全耗尽型绝缘体上硅工艺的芯片设计。这一消息由法国媒体ECInews首度报道，引发业界热议。项目协调员Dominique Noguet透露，基于10nm FD-SOI工艺的测试芯片预计将在2027年正式面市，标志着欧洲在先进半导体制造领域的重要进展。

FAMES 项目的协调员 Dominique Noguet 表示 基于 10nm FD-SOI 工艺的测试芯片预计将于 2027 年推出 。该制程节点将采用 193nm ArFi DUV 光刻机，采用 SADP 自对准双重曝光实现。