近日，国家知识产权局公布了一项重要专利信息，飞锃半导体（上海）有限公司成功获得了名为“SiC ...

商用的Si MOSFET 耐压普遍不超过900V，而 SiC 拥有更高的击穿场强，在结构上可以减少芯片的厚度，从而较大幅度地降低 MOSFET 的通态电阻，使其耐压可以提高到几千伏甚至更高。本文带你了解其静态特性。

在智能设备行业快速发展的背景下，飞锃半导体（上海）有限公司于2025年3月19日正式宣布其获得了一项重要专利，名为“SiC MOSFET的软关断电路及方法”。这一专利的授权公告号为CN114915145B，申请日期为2022年5月。作为一家成立于2018年的企业，飞锃半导体正在以其技术创新推动整个半导体行业向前发展。 这项新兴专利的关键在于其先进的软关断技术，主要应用于硅碳化物（SiC）MOSFE ...

集微网获悉，广东芯粤能半导体有限公司（以下简称“芯粤能”）经过近两年时间的技术研发和测试，已成功开发出第一代碳化硅沟槽MOSFET工艺平台。该平台采用芯粤能自主知识产权的沟槽MOSFET结构，可显著降低比导通电阻、提高电流密度，并在确保产品可靠性的同 ...

格隆汇3月17日丨芯联集成(688469.SH)在投资者互动平台表示，公司SiC MOSFET系列工艺平台方面实现了650V到2000V系列的全面布局，其中1200V车载主驱逆变器实现量产，是国内最早能够提供车载主驱逆变器SiC ...

LLC谐振转换器的核心优势在于 软开关实现的高效率、宽输入适应性及高功率密度 ，其典型应用涵盖消费电子、工业电源、新能源、医疗等高要求领域。与SiC ...

抢装潮的直接诱因是政策过渡期带来的收益差异。例如，若项目未能在5月1日前并网，大型工商业分布式光伏将无法全额上网，IRR可能下降4个百分点；而6月1日后并网的项目需完全市场化交易，电价波动风险显著增加。这些政策压力迫使行业在短期内集中释放需求，供应链 ...

其中，鹏进高科、重投天科与尚阳通科技达成合作，共同推进基于8英寸外延片的功率器件工艺开发，重点攻关外延片缺陷控制、厚度均匀性优化等技术，并开展新能源与电动汽车领域的应用验证。

芯联集成在互动平台表示，公司SiC MOSFET系列工艺平台方面实现了650V到2000V系列的全面布局，其中1200V车载主驱逆变器实现量产，是国内最早能够提供车载主驱逆变器SiC MOSFET晶圆制造的企业，技术处于国际领先水平之列；1700V的平面SiC MOSFET也处于国际领先水平，可用于新能源光伏逆变器系统。 在车载SiC ...