【2024年11月25日, 德国慕尼黑讯】为了满足AI服务器和电信领域的安全热插拔操作要求，MOSFET必须具有稳健的线性工作模式和较低的 RDS(on) 。英飞凌科技股份公司推出的新型OptiMOS™ 5 Linear FET 2解决了这一难题，这款MOSFET专为实现沟槽 MOSFET的RDS(on)与经典平面 MOSFET ...

[导读]MOSFET的工作基于栅极电压对导电沟道的控制。当栅极电压达到一定值时，会在半导体中形成导电沟道，从而控制源极和漏极之间的电流流动。 结构及其工作原理 ‌MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属-氧化物-半导体场效应晶体管)‌是一种电压 ...

IT之家9 月 3 日消息，“南京发布”官方公众号于 9 月 1 日发布博文，报道称国家第三代半导体技术创新中心（南京）历时 4 年自主研发，成功攻关沟槽型碳化硅 MOSFET 芯片制造关键技术，打破平面型碳化硅 MOSFET 芯片性能“天花板”，实现我国在该领域的首次突破。

[导读]MOSFET、IGBT和BJT等半导体器件的开关速度受到元件本身的电容的影响。为了满足电路的效率，设计者需要知道这些参数。例如，设计一个高效的开关电源将要求设计者知道设备的电容，因为这将影响开关速度，从而影响效率。这些信息通常在MOSFET的指标说明 ...

功率MOSFET是一种在电源管理、信号处理、汽车电子和可再生能源系统等多种应用中广泛使用的高效半导体开关器件。 其器件的开关速度受到内部电容的影响，通常在产品数据表中以Ciss（输入电容）和Coss（输出电容）指出，它们源自于输入的栅极与漏极之间的 ...

SiC MOSFET是近年来MOSFET行业进行技术迭代的主要方向，相较于其他可用技术，碳化硅MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)表现出显著的性能提升，为众多电子应用带来了新的可能性。目前，SiC MOSFET的发展主要经历了三个阶段，其发展历程具体如下 ...

SiC和GaN正在实现更高效率、更小尺寸的电源转换解决方案。 碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽禁带(WBG)半导体正在为下一代光伏(PV)和储能系统(ESS)提供更高效率、更小尺寸的电源转换解决方案。在本文中，我们将重点介绍英飞凌科技和东芝提供的此类产品的示例。

一、大容量充放电管理模块 MOSFET 的原理 大容量充放电管理模块 MOSFET，即电池充放电保护电路模块（protection circuit module，PCM），是锂离子电池包中负责管理和保护电芯充放电的关键元件。它主要由控制电路、功率管以及其他电子元件组成，通过对电芯的充 ...

功率MOSFET最常用于开关型应用中，发挥着开关的作用。然而，在诸如SMPS的启动电路、浪涌和高压保护、防反接保护或固态继电器等应用中，当栅极到 ...

其中包括较低的比导通电阻（RDS（on）） 对于给定的额定电压，比硅可用的电压额定值更高（例如，SiC MOSFET高达15kV，而硅IGBT最高达6.5kV），并且由于给定RDS（on）的芯片尺寸较小，电容要低得多，结合更低的导通和开关损耗、更高的开关频率和更简单的冷却 ...

SiC MOSFET器件的集成化、高频化和高效化需求，对功率模块封装形式和工艺提出了更高的要求。本文中总结了近年来封装形式的结构优化和技术创新，包括键合式功率模块的金属键合线长度、宽度和并联数量对寄生电感的影响，直接覆铜（DBC）的陶瓷基板中陶瓷层 ...

光伏逆变市场SiC MOSFET/Module应用潜力巨大。市场观点认为，在需求不断扩大、厂商良性竞争的态势下，碳化硅功率器件的成本会持续下降，应用前景 ...