MOS工作的实际最大漏源电压VDS=30V，未超过VDS(max）=40V。并且MOS工作的实际最大电流ID=5A，未超过ID(max）= 310A，脉冲时间1ms，看图会发现超过了1ms的SOA区，所以MOSFET会损坏。 需要注意的是MOSFET规格书给出的SOA曲线是环境温度25℃的曲线，如果你的产品环境温度更大 ...

mos通信講座おすすめランキング11選 それでは早速、数あるmosの通信講座の中から筆者が厳選したサービスを紹介していきます。今回、掲載して ...

单个MOSFET的电流能力有限，通过并联多个器件可直接提升总电流承载能力。多个器件分担功耗，减少单个器件的温升。MOSFET并联是一种常见的电路设计方法，主要用于提升电流承载能力、降低导通损耗或改善散热性能。 由于负载电流比较大，如果MOSFET并联电路 ...

2024年11月，国务院国资委党委举办理论学习中心组集体学习会暨厅局级干部研修班，会议提出，要推动中央企业穿越经济周期，支持企业开启增长的“第二曲线”。 当前，科技创新能力逐渐成为一般企业与卓越企业的分水岭，面对日益激烈的市场竞争，央企亟需 ...

李虹说。 2023年，华润微碳化硅和氮化镓功率器件销售收入同比增长135%，碳化硅MOS（MOSFET简称，即金属-氧化物-半导体场效应晶体管）在碳化硅销售 ...

基于新型6英寸SiC复合衬底成功实现高性能低成本1200V SiC MOSFET。该复合衬底表现出与高质量衬底相当的缺陷密度,界面热阻低至2.8 +1.4/-0.7 m²K/GW ...