业内对于SiC和GaN的接受度越来越高，并看好其营收可望达到十亿美元。自英飞凌科技(Infineon)于2001年推出一款肖特基二极体，成为业内首款商用SiC器件后，开启了SiC器件快速发展的时代。预计到2026年，这一产业领域的营收将超过40亿美元。 2010年，宜普电源转换 ...

GaN和SiC器件比它们正在替代的硅元件性能 ... Rohm有一个沟槽MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）；Infineon Technologies、ON Semiconductor Corp ...

英飞凌科技(Infineon)汽车电子事业部(大中华区)市场经理高金萍说明，现阶段各产业对SiC的需求成长快速，电动车将会是SiC应用的主要市场区块。英飞凌预期至2025年，汽车电子功率器件区块采用SiC技术的比重将超过20%，而GaN器件在各类电动车(xEV)市场，如纯电动车 ...

6 月，雷诺和 STMicroelectronics 联手开发用于 EV 和 HEV 的 SiC 和 GaN 器件。对于 Wolfspeed、Infineon、STMicroelectronics、Rohm 和 onsemi 来说重要的是，汽车 OEM 也 ...

“它比 MOSFET 更便宜。” 业界预计 GaN/SiC 组合功率晶体管将在 2030 年达到 MOSFET 的市场价值。 Infineon Technologies 高级负责人 Gerald Deboy 表示：“目前硅 ...

英飞凌科技(Infineon)汽车电子事业部(大中华区)市场经理高金萍说明，现阶段各产业对SiC的需求成长快速，电动车将会是SiC应用的主要市场区块。英飞凌预期至2025年，汽车电子功率器件区块采用SiC技术的比重将超过20%，而GaN器件在各类电动车(xEV)市场，如纯电动车 ...

(图片来源：Infineon——由PowerAmerica提供)9daednc “在较低的频率和非常高的功率下，硅是最有力的竞争者。随着频率的增加，硅的损耗变得更多，因此它不再是一个好的解决方案，而SiC在此就成为最好的解决方案。当然，在非常高的频率下，GaN则是一种出色的解决 ...

要说最近几年功率器件哪个方向最火热，一定是第三代半导体。昨日，瑞萨宣布3.39亿美元收购Transphorm，进军氮化镓（GaN）领域，引燃整个芯片圈。

采用 GaN（氮化镓）和 SiC（碳化硅）组合的电力电子技术正在成为推动电气化驱动的重要趋势。 虽然硅（Si）在电力半导体领域长期占据主导地位 ...

现如今，6英寸晶圆成为了全球SiC/GaN企业的主流，走在前列的企业则陆续进入了8英寸晶圆时代。与已经耕耘多年的国际SiC/GaN ...

华泰证券发布研究报告称，SiC和GaN作为新型功率半导体材料，已进入快速发展阶段。2018年特斯拉的功率器件应用加速了SiC应用于新能源车的进程。