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36氪2 年
SiC和GaN，战斗才刚刚开始
GaN和SiC器件比它们正在替代的硅元件性能 ... Rohm有一个沟槽MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）；Infineon Technologies、ON Semiconductor Corp ...
腾讯网2 年
SiC、GaN、硅功率器件
“它比 MOSFET 更便宜。” 业界预计 GaN/SiC 组合功率晶体管将在 2030 年达到 MOSFET 的市场价值。 Infineon Technologies 高级负责人 Gerald Deboy 表示：“目前硅 ...
腾讯网4 个月
GaN与SiC，野蛮生长
GaN、SiC功率元件持续成长轨迹 根据Yole ... Yole的报告中指出，2023年，英飞凌科技(Infineon Technologies)、安森美(Onsemi)、罗姆(ROHM)、意法半导体 ...
36氪1 年
GaN格局，开年大变
要说最近几年功率器件哪个方向最火热，一定是第三代半导体。昨日，瑞萨宣布3.39亿美元收购Transphorm，进军氮化镓（GaN）领域，引燃整个芯片圈。
国际电子商情2 年
第三代半导体加速爆发，SiC、GaN产业化进度如何？
2009-2019年期间，全球共关闭了100座晶圆代工厂。恰逢最新一轮全球规模芯片缺货潮，半导体产业遭遇了前所未有的危机。坚持IDM模式的厂商开始改变观念，2021年英特尔决定把部分芯片外包给台积电，这个变化被业内视为委外代工已成趋势，但在SiC和GaN领域，似乎 ...
和讯网1 年
电子行业动态点评：第三代半导体专家十问十答：SIC&GAN路在何方？
SiC 商业化进程领先GaN 三年，预计2026 年投资扩产或转向GaN SiC 和GaN 作为新型功率半导体材料，已进入快速发展阶段。2018 年特斯拉的功率器件应用 ...
IDTechEx1 年
The Emerging Adoption and Future Trends of SiC and GaN in EVs
Infineon, and Renesas. This will soon make GaN a realistic and widespread solution for EV power electronics. Over the next decade, one can expect the coexistence of Si, SiC, and GaN in the EV power ...
新浪网1 年
华泰证券：SiC商业化进程领先GaN三年 预计2026年投资扩产或转向GaN
华泰证券发布研究报告称，SiC和GaN作为新型功率半导体材料，已进入快速发展阶段。2018年特斯拉的功率器件应用加速了SiC应用于新能源车的进程。
Digi Times10 个月
Infineon adopts measured approach to GaN and SiC development
Infineon Technologies is working to maintain ... including silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN),... Save my User ID and Password Some subscribers prefer to save their log-in information ...