近日，日本半导体大厂#瑞萨电子（Renesas）传出解散其碳化硅（SiC）团队，并取消原定于2025年初的SiC功率半导体量产计划，这一消息在半导体行业激起千层浪。结合多方消息显示，目前瑞萨电子正准备出售其位于群马县高崎工厂的全新碳化硅设备，而其群马县高崎工厂或改回做传统的硅基市场、部分SiC设计小产线，以及为其未来氮化镓器件研发和生产做准备。瑞萨此举不仅仅 ...

在整个异质集成工艺推进过程中，两大关键学术及工程技术难题亟待攻克：其一，全力攻克 Si CMOS 与 GaN 器件间的工艺兼容性难题，实现高效功率 ...

表1：Si、SiC和GaN的特性。 一般来说，GaN FET的最高电压约为650V，应用功率约为10kW，而750V和1200V SiC FET也并不罕见，应用功率从1kW到数百万瓦不等(如图 ...

三、多晶GaN材料应力与Si MOS的. 多物理场耦合. 在 GaN/Si CMOS 单片异质集成这一复杂精妙的系统中，应力因素宛如一把双刃剑，其影响深远且微妙 ...

为此，复旦大学微电子学院张卫教授、江南大学集成电路学院黄伟教授合作开展了Si CMOS+GaN单片异质集成的创新研究，并在近期国内重要会议上进行报道。复旦大学微电子学院研究生杜文张、何汉钊、范文琪等同学承担了相关研究工作。

二、项目名称： GaN-on-Si/SOI 外延片采购. 三、中标（成交）信息. 供应商名称：苏州晶湛半导体有限公司. 供应商地址：中国（江苏）自由贸易试验区苏州片区苏州工业园区旺家浜巷2号. 中标（成交）金额：90.0000000（万元） 四、主要标的信息 ...

Si基GaN材料结合了Si衬底大尺寸、低成本优势和GaN禁带宽度大、电子饱和漂移速度高等优势，在功率电子器件领域有着很高的应用潜力。然而GaN-on-Si作为大失配异质外延体系，相应面临着衬底和外延层间的晶格失配和热膨胀系数失配等固有问题。报告人将基于本课题组的工作，围绕Si基GaN材料的应力 ...

2022 年 RF GaN-on-Si 原型的成功生产反映了他们致力于引入 GaN-on-Si 技术，强调在电信和消费领域的应用。MACOM 于 2023 年战略收购 OMMIC SAS ...

硅基氮化镓（GaN-on-Si）是指由硅和氮化镓组成的复合材料，其兼具硅和氮化镓两者优势性能，有着优异的热稳定性、电磁屏蔽性、绝缘性、耐腐蚀性 ...

2022年全球GaN on Si HEMT外延片市场销售额达到了0.5亿美元，预计2029年将达到2亿美元，年复合增长率（CAGR）为22.1%（2023-2029）。地区层面来看，中国市场在过去几年变化较快，2022年市场规模为 百万美元，约占全球的 %，预计2029年 ...