在伺服电机驱动应用中，电机控制通常分为几个控制回路层：电流/扭矩回路、速度回路、位置回路和更高级别的运动控制回路。这些回路通常以级联的形式排列，每个回路都有“实时”处理要求。电流/扭矩回路是速度最快的控制回路。每个上游回路以其之前回路的倍数运行，并为 ...

在全球能源转型与电子产业升级的双重驱动下 ...

耗尽型（D-Mode）氮化镓器件通常用于射频和特殊功率应用场景，可以通过增加外围元器件，比如级联型D-mode GaN利用低压Si MOSFET的开关带动整体的开关，从而将常开型变为常关型、实现对常开器件的控制，具有导通电阻较小、饱和电流较大、开关频率较高的优势 ...

该 工作 以Photoresponsivity of p-GaN HEMT-based ultraviolet photodetectors at low temperatures为题发表于Applied Physics Letters 126, 192101 (2025) 。 图 2 . (a) 紫外-太赫兹全光谱光电探针台的照片、(b) 变温条件下光电流特性测试、(c) ...

山东大学集成电路学院晶体材料全国重点实验室教授刘超做了“1.5 kV Fully-Vertical GaN-on-Si Power MOSFETs”的主题报告，分享650伏准垂直型硅基氮化镓功率 ...