在全球能源转型与电子产业升级的双重驱动下 ...

耗尽型（D-Mode）氮化镓器件通常用于射频和特殊功率应用场景，可以通过增加外围元器件，比如级联型D-mode GaN利用低压Si MOSFET的开关带动整体的开关，从而将常开型变为常关型、实现对常开器件的控制，具有导通电阻较小、饱和电流较大、开关频率较高的优势 ...

在伺服电机驱动应用中，电机控制通常分为几个控制回路层：电流/扭矩回路、速度回路、位置回路和更高级别的运动控制回路。这些回路通常以级联的形式排列，每个回路都有“实时”处理要求。电流/扭矩回路是速度最快的控制回路。每个上游回路以其之前回路的倍数运行，并为 ...

近日，日本半导体大厂#瑞萨电子（Renesas）传出解散其碳化硅（SiC）团队，并取消原定于2025年初的SiC功率半导体量产计划，这一消息在半导体行业激起千层浪。结合多方消息显示，目前瑞萨电子正准备出售其位于群马县高崎工厂的全新碳化硅设备，而其群马县高崎工厂或改回做传统的硅基市场、部分SiC设计小产线，以及为其未来氮化镓器件研发和生产做准备。瑞萨此举不仅仅 ...

CREE成立于1987年，早在1993年就上市，但在巨人林立的半导体从产业长期缺乏存在感。随着Model 3的上市交付，产业界惊讶地发现，这家年收入不到4亿美元的小公司牢牢掐住了新能源车的命脉—— 碳化硅 。

山东大学集成电路学院晶体材料全国重点实验室教授刘超做了“1.5 kV Fully-Vertical GaN-on-Si Power MOSFETs”的主题报告，分享650伏准垂直型硅基氮化镓功率 ...

研究发现，Si-N网络重构是应力调控的核心机制： 氮主导应力：LF激发促进N掺入（49.1 at.%），通过原子间隙堆积引发压应力，而HF激发因离子迁移率高导致H富集（22.2 at.%）和张应力。 热稳定性：600°C沉积的薄膜在500°C RTA后应力不变，适用于GaN HEMT等高温工艺器件。

本文刊载于2024年12月刊发的第4期《IEEE Electron Devices Magazine》。该期期刊以功率半导体器件为主题，由IEEE Fellow、《IEEE Transactions on Electron Devices》前主编Giovanni Ghione教授担任客座编辑，邀请了来自中国电子科技大学、德国英飞凌公司、美国斯坦福大学等行业专家就硅基到宽禁带功率半导体器件展开评述。

【2025年6月19日，德国慕尼黑讯】全球功率系统和 物联网 领域的 半导体 领导者英飞凌科技股份公司已加入FiRa ®（ 精准测距）联盟董事会。此举标志着英飞凌在推动超宽带（UWB）技术在众多应用场景及垂直领域的未来发展上，迈出了重要一步。自2021年以来，英飞凌一直积极参与FiRa ® 联盟的工作，此次加入董事会将使公司能够通过推动标准化进程，进一步加速UWB技术的演进。

在化学层面上，Si和SiC的区别仅仅是增加了碳原子。 但这导致SiC的晶圆具有更坚硬的纤锌矿型原子结构，相比之下，Si的原子结构为较弱的金刚石型。 这种结构差异使得SiC在高温下具有更高的机械稳定性、出色的热导率、较低的热膨胀系数以及更宽的禁带。