欧洲先进FD-SOI中试线项目FAMES近日宣布了一项重要计划，旨在征集采用10nm和7nm FD-SOI全耗尽型绝缘体上硅工艺的芯片设计。这一消息由法国媒体ECInews率先报道，引起了业界的广泛关注。

当全球芯片战局被台积电2nm和三星GAA架构占据头条时，法国实验室突然亮出‘DUV造10nm’技术路线图，这场看似复古的工艺革命为何让英特尔彻夜难眠？在这个瞬息万变的半导体行业，FD-SOI工艺的崛起，正如在奥林匹克赛场上逆袭而来的黑马，给众多芯片巨头送上了意想不到的挑战。

FAMES 项目的协调员 Dominique Noguet 表示 基于 10nm FD-SOI 工艺的测试芯片预计将于 2027 年推出 。该制程节点将采用 193nm ArFi DUV 光刻机，采用 SADP 自对准双重曝光实现。

3 月 19 日消息，据法媒 ECInews 报道，欧洲先进 FD-SOI 中试线（技术试点线）项目 FAMES 当地时间 18 日正式宣布对外公开征集计划采用 10nm、7nm FD-SOI 全耗尽型绝缘体上硅工艺的芯片设计。 FAMES ...