海归学者发起的公益学术平台分享信息，整合资源交流学术，偶尔风月二维材料，尤其是过渡金属二硫族化合物（TMDCs），因其独特的电学、光学及机械性能，近年来受到广泛关注。其中，二硫化钼（MoS₂）因其在电子学、光电子学及自旋电子学等领域的巨大应用潜力而备 ...

相关工作以“Interfacial Atomic Mechanisms of Single-crystalline MoS2 Epitaxy on Sapphire”为题发表于Advanced Materials。 图1 α-Al2O3 (0001)上连续单晶MoS2单层膜的表征 通过集成微分相衬扫描透射电子显微镜 ...

"以前的 ASMI 一直专注于技术研发，但从去年开始，公司调整了市场策略，开始加强市场拓展和客户服务。因此，我们预计 2018 年ASMI 在中国市场将取得去年 3 倍的市场销售表现。"ASMI 中国业务开发总监徐来在 SEMICON China 期间接受集微网记者采访时说道。

氮化镓（GaN）是直接宽带隙半导体材料，属于第三代半导体。与前两半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度以及更高的抗辐射能力，满足现代电子技术对半导体材料提出的高温、高功率 ...

》（A Paradigm Shift From III-V Bonding to Direct Epitaxy for Silicon Photonics - How Realistic?）为题，探讨硅基光子集成技术的关键瓶颈。作为光电子领域先驱，刘教授深耕III-V族半导体材料数十年，其团队在硅基光电子器件集成领域的突破或将重新定义光互连芯片的制造路 ...

利用巨大的氧化原子层外延生长法（GOALL-Epitaxy），在SrLaAlO 4 基底上生长了三单位晶胞（3UC）厚的La 2.85 Pr 0.15 Ni 2 O 7 纯相单晶薄膜。 电阻测量和磁场 ...

薛其坤团队成功突破这一科学难题的关键在于创新性地运用了“巨型氧化原子层外延”（GOALL-Epitaxy）技术。这是一种精确控制的薄膜生长方法，通过在强臭氧氧化环境下交替使用不同的激光靶材，可以实现原子层级的精确生长。在具体实验中，研究团队在 SrLaAlO4 ...

他们发明了一种被称为"巨氧化原子层外延"（GOALL-Epitaxy）的技术，这项技术让他们成功制备出了一种特殊的镧镨镍氧化物薄膜（La2.85Pr0.15Ni2O7）。