SiC MOSFET 在较高结温下的 R DS(ON) 较低 ... 除了有助于减小数据中心的散热要求之外，该器件还能在高工作频率的 PFC 和 DC-DC 功能块中（例如电动汽车 (EV) 的壁挂式直流充电桩中）以较低温度运行。 此外，在相同电压等级下，M3S EliteSiC MOSFET 的栅极电荷 Qg 更加 ...

SiC MOSFET 在较高结温下的 RDS(ON) 较低 ... 除了有助于减小数据中心的散热要求之外，该器件还能在高工作频率的 PFC 和 DC-DC 功能块中（例如电动汽车 (EV) 的壁挂式直流充电桩中）以较低温度运行。 此外，在相同电压等级下，M3S EliteSiC MOSFET 的栅极电荷 Qg 更加 ...

Littelfuse公司30日宣布推出TPSMB非对称TVS二极管系列，这是首款上市的非对称瞬态电压抑制（TVS）二极管，专门用于保护汽车应用中的碳化硅（SiC）MOSFET栅极驱动器。这一创新产品满足下一代电动汽车(EV)系统对可靠过压保护日益增长的需求，提供一种结构紧凑的 ...

公司今日宣布推出TPSMB非对称TVS二极管系列，这是首款上市的非对称瞬态电压抑制（TVS）二极管，专门用于保护汽车应用中的碳化硅（SiC）MOSFET栅极驱动器。 这一创新产品满足下一代电动汽车 (EV) 系统对可靠过压保护日益增长的需求，提供一种结构紧凑的单元件 ...

商用硅基功率MOSFET已有近40年的历史，自问世以来，MOSFET和IGBT一直是开关电源的主要功率处理控制组件，被广泛用于电源、电机驱动等电路设计。 不过，这一成功也让MOSFET和IGBT体会到因成功反而受其害的含义。随着产品整体性能的改善，特别是导通电阻和开关 ...

SiC MOSFET的这些优势给电动汽车（EV）带来了诸多好处，包括更长的续航里程、更快的充电速度和潜在的更低成本的纯电动汽车（BEV）。在过去五年 ...

SiC MOSFET是近年来MOSFET行业进行技术迭代的主要方向，相较于其他可用技术，碳化硅MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)表现出显著的性能提升，为众多电子应用带来了新的可能性。目前，SiC MOSFET的发展主要经历了三个阶段，其发展历程具体如下 ...

本次会议将重点介绍 EV 充电系统，以及安世半导体为此即将带来的 SiC MOSFET 1200V/40, 80mR 产品系列的优异性能特点，及其在 EV-Charger 中的应用 ...

引言 碳化硅 (SiC) 属于宽禁带 半导体材料系列，用于制造分立功率半导体。如表 1 所示，传统硅 (Si) MOSFET 的带隙能量为 1.12 eV，而 SiC MOSFET 的带隙 ...