近日，#瞻芯电子 与浙江大学在一场行业会议上联合发表了10kV等级SiC MOSFET的最新研究成果，受到了各界广泛关注。这一成果彰显了瞻芯电子在SiC功率器件领域的创新引领地位。 10kV等级SiC MOSFET器件在下一代智能电网、高压大容量功率变换系统等领域有广阔的应用 ...

英飞凌EconoDUAL™ 3 1200V/1.4mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET半桥模块，增强型1代M1H芯片、集成NTC温度传感器和PressFIT引脚，还可提供预涂导热材料TIM版本(FF1MR12MM1HP_B11)或基板背面的Wave波浪结构，用于直接液体冷却(FF1MR12MM1HW_B11)。目标应用为储能系统，通用电机驱动器，不间断 ...

关键字：东芝 SiC MOSFET 电子元件引用地址：东芝推出采用DFN8×8封装的新型650V ... Inc. 合作推出全新电子书 An Automotive Grade Above （推动汽车电子进一步发展），探讨支持电动汽车 (EV) 充电、车载信息娱乐系统等各种汽车应用所需的高性能解决方案。在这本电子书 ...

在许多情况下，EV 功率模块中的 SiC MOSFET 使用直接铜键合 （DCB） 安装在陶瓷基板上。 这些陶瓷基板因其电气隔离、高导热性和强大的功率处理能力 ...

中国上海，2025年5月20日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新的 [1] 第3代SiC MOSFET技术，并采用紧凑型DFN8×8封装，适用于 ...

东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新的[1]第3代SiC MOSFET技术，并采用紧凑型DFN8×8封装，适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。

据称，理想自研 SiC 芯片团队突破行业盲区，发现了一类隐藏极深“问题芯片”，这类芯片在严苛的工作环境下，会存在突然烧毁的风险。但是，这类芯片由于满足目前行业内现有的各种测试标准，是被当作合格产品流入下游领域的（包括汽车应用）。

其中，特斯拉是全球第一家将SiC MOSFET应用于乘用车主逆变器的厂商。随后国内厂商迅速 跟进，比亚迪在汉EV上搭载了自主研发的SiC功率模块，东风岚图亦于2019年发布基于SiC的800V高压 平台。此外，头部零部件企业德尔福等均已发布基于SiC的800V高压逆变器或电 ...

第三代半导体的开关阈值介于 2.3 电子伏特（eV） 和 3.3 电子伏特（eV ... 激烈和反复的热循环会导致元件损坏。NRMednc 由SiC MOSFET体二极管应力引起的双极性老化，可能导致“导通”状态下的电阻增加，这是由于体二极管正向偏置时流过的电流触发的。

例如电动汽车（EV）中的车载充电器（OBC）和牵引逆变器，以及直流-直流转换器、暖通空调系统（HVAC)。这些开关采用日益流行的表面贴装D2PAK-7封装，与通孔器件相比，这种封装更适合自动化装配操作。 图片来源：Nexperia RDS(on）是SiC MOSFET的一个关键性能参数 ...

【闻泰科技：公司5月正式发布1200V车规级SiC MOSFET系列产品】财联社5月21日电，闻泰科技(600745.SH)发布投资者关系活动记录表公告称，在SiC产品中，公司于5月正式发布了1200V车规级SiC MOSFET系列产品，可适用于车载充电器（OBC）、牵引逆变器、DC-DC转换器、暖通空调 ...