共源共栅(Cascode)结构是通过将一个SiC JFET与一个低压、常关的硅(Si)MOSFET串联而成,其中JFET的栅极连接到MOSFET的源极。MOSFET的漏源电压是JFET栅源电压的反相,从而使cascode ...
什么是碳化硅Cascode JFET技术? 众多终端产品制造商已选择碳化硅技术替代传统硅技术,基于双极结型晶体管(BJT)、结型场效应晶体管(JFET)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)等器件开发电源系统。这些器件因各自特性(优 ...
Abstract: An E-band low-noise amplifier (LNA) is proposed for 6G applications. It employs three cascode amplifier stages, each utilizing a gate-drain transformer as the load. To extend the gain ...
本文将深入探讨安森美EliteSiC Cascode JFET相较于同类碳化硅MOSFET的技术优势。 电力电子器件高度依赖于硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)等半导体材料。虽然硅一直是传统的选择,但碳化硅器件凭借其优异的性能与可靠性而越来越受 ...
这些器件因各自特性(优缺点不同)而被应用于不同场景。30pednc 然而,安森美(onsemi)的EliteSiC共源共栅结型场效应晶体管(Cascode JFET)器件(图2)将这一技术推向了新高度。该器件基于独特的"共源共栅(Cascode)"电路配置——将常开型碳化硅JFET器件与硅MOSFET ...
该器件基于独特的"共源共栅(Cascode)"电路配置——将常开型碳化硅JFET器件与硅MOSFET共同封装,形成一个集成化的常闭型碳化硅FET器件。我们的 ...